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Invention Publication
CN107863294A 半导体晶片和方法 有权

半导体晶片和方法
Abstract:
本申请涉及半导体晶片和方法。在一个实施例中，对表面进行平坦化的方法包括将第一层施加到包括突出区域的表面，使得第一层覆盖表面和突出区域，去除突出区域之上的第一层的一部分并在突出区域之上的第一层中形成凹陷，突出区域保持被第一层的材料覆盖，并且逐渐地去除第一层的最外表面以产生平坦化的表面。
Abstract(English):

The invention relates to a semiconductor wafer and a method. In an embodiment, a method of planarising a surface includes applying a first layer to a surface including a protruding region such that the first layer covers the surface and the protruding region, removing a portion of the first layer above the protruding region and forming an indentation in the first layer above the protruding region,the protruding region remaining covered by material of the first layer, and progressively removing an outermost surface of the first layer to produce a planarised surface.

Public/Granted literature
IPC分类:
H 电学
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04 ..至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18 ...器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30 ....用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的（在半导体材料上制作电极的入H01L21/28）
H01L21/302 .....改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割
H01L21/306 ......化学或电处理，例如电解腐蚀（形成绝缘层的入H01L21/31；绝缘层的后处理入H01L21/3105）
Patent Agency Ranking
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