公开(公告)号：CN107887341B

公开(公告)日：2021-03-09

申请号：CN201710823848.8

申请日：2017-09-13

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： H·布里施 ,  A·布里纳 ,  M·布劳恩 ,  J·罗波尔 ,  M·齐格尔德鲁姆

IPC: H01L23/043 ,  H01L29/78 ,  H01L21/62 ,  H01L21/77

Abstract: 本公开涉及包括LDMOS晶体管、单片微波集成电路的半导体器件和方法。例如在一个实施例中，半导体器件包括：包括前表面的半导体衬底，前表面中的LDMOS晶体管结构，布置在前表面上的导电互连结构以及布置在前表面中的至少一个腔。

公开(公告)号：CN107863294A

公开(公告)日：2018-03-30

申请号：CN201710756156.6

申请日：2017-08-29

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： A·布里纳 ,  H·布里施 ,  S·拉万加

IPC: H01L21/306 ,  H01L21/3105

CPC classification number: H01L29/205 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/304 ,  H01L21/31053 ,  H01L21/31056 ,  H01L21/76229 ,  H01L29/1066 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/778 ,  H01L29/7786 ,  H01L21/30625 ,  H01L21/31051 ,  H01L21/31055

Abstract: 本申请涉及半导体晶片和方法。在一个实施例中，对表面进行平坦化的方法包括将第一层施加到包括突出区域的表面，使得第一层覆盖表面和突出区域，去除突出区域之上的第一层的一部分并在突出区域之上的第一层中形成凹陷，突出区域保持被第一层的材料覆盖，并且逐渐地去除第一层的最外表面以产生平坦化的表面。

公开(公告)号：CN107863294B

公开(公告)日：2021-09-03

申请号：CN201710756156.6

申请日：2017-08-29

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： A·布里纳 ,  H·布里施 ,  S·拉万加

IPC: H01L21/306 ,  H01L21/3105

Abstract: 本申请涉及半导体晶片和方法。在一个实施例中，对表面进行平坦化的方法包括将第一层施加到包括突出区域的表面，使得第一层覆盖表面和突出区域，去除突出区域之上的第一层的一部分并在突出区域之上的第一层中形成凹陷，突出区域保持被第一层的材料覆盖，并且逐渐地去除第一层的最外表面以产生平坦化的表面。

公开(公告)号：CN104347562A

公开(公告)日：2015-02-11

申请号：CN201410377224.4

申请日：2014-08-01

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： A·布里纳 ,  H·布里施 ,  M·齐格尔德鲁姆

IPC: H01L23/488 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L24/06 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/09 ,  H01L24/40 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/70 ,  H01L24/73 ,  H01L2224/03831 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/04073 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2224/05553 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/05557 ,  H01L2224/05578 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/06133 ,  H01L2224/06153 ,  H01L2224/09133 ,  H01L2224/09153 ,  H01L2224/40095 ,  H01L2224/40245 ,  H01L2224/40247 ,  H01L2224/45014 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45139 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/45155 ,  H01L2224/45157 ,  H01L2224/45166 ,  H01L2224/45169 ,  H01L2224/45176 ,  H01L2224/45181 ,  H01L2224/45184 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48101 ,  H01L2224/48153 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48453 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/4847 ,  H01L2224/49111 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2224/73221 ,  H01L2224/73271 ,  H01L2224/85181 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2224/85207 ,  H01L2224/85399 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/053 ,  H01L2924/10272 ,  H01L2924/1033 ,  H01L2924/12031 ,  H01L2924/12032 ,  H01L2924/1205 ,  H01L2924/1301 ,  H01L2924/1304 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13062 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/207 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/37099 ,  H01L2224/84

Abstract: 本发明公开了一种分段键合焊盘及其制造方法。根据本发明的实施例，一种半导体器件包括设置在衬底的第一侧处的第一键合焊盘。第一键合焊盘包括第一多个焊盘区段。第一多个焊盘区段中的至少一个焊盘区段与第一多个焊盘区段中的其余焊盘区段电隔离。

公开(公告)号：CN107546271B

公开(公告)日：2021-01-22

申请号：CN201710485583.5

申请日：2017-06-23

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： A·布里纳 ,  H·布里施 ,  M·齐格尔德鲁姆

IPC: H01L29/78 ,  H01L23/48 ,  H01L21/768 ,  H01L21/336

Abstract: 本公开涉及LDMOS晶体管和方法。在一个实施例中，一种半导体器件包括半导体衬底、布置在半导体衬底的正面中的LDMOS晶体管以及导电衬底通孔。导电衬底通孔包括从半导体衬底的正面延伸到背面的通孔、填充通孔的第一部分的导电插塞以及对通孔的第二部分的侧壁加衬且电耦合至导电插塞的导电衬层。

公开(公告)号：CN107887341A

公开(公告)日：2018-04-06

申请号：CN201710823848.8

申请日：2017-09-13

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： H·布里施 ,  A·布里纳 ,  M·布劳恩 ,  J·罗波尔 ,  M·齐格尔德鲁姆

IPC: H01L23/043 ,  H01L29/78 ,  H01L21/62 ,  H01L21/77

Abstract: 本公开涉及包括LDMOS晶体管、单片微波集成电路的半导体器件和方法。例如在一个实施例中，半导体器件包括：包括前表面的半导体衬底，前表面中的LDMOS晶体管结构，布置在前表面上的导电互连结构以及布置在前表面中的至少一个腔。

公开(公告)号：CN107546271A

公开(公告)日：2018-01-05

申请号：CN201710485583.5

申请日：2017-06-23

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： A·布里纳 ,  H·布里施 ,  M·齐格尔德鲁姆

IPC: H01L29/78 ,  H01L23/48 ,  H01L21/768 ,  H01L21/336

Abstract: 本公开涉及LDMOS晶体管和方法。在一个实施例中，一种半导体器件包括半导体衬底、布置在半导体衬底的正面中的LDMOS晶体管以及导电衬底通孔。导电衬底通孔包括从半导体衬底的正面延伸到背面的通孔、填充通孔的第一部分的导电插塞以及对通孔的第二部分的侧壁加衬且电耦合至导电插塞的导电衬层。