用于在FDSOI技术中形成不同厚度的半导体层的方法

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CN107887396B 用于在FDSOI技术中形成不同厚度的半导体层的方法有权

摘要：

在完全耗尽的SOI晶体管中，可以为不同类型的晶体管提供专门设计的半导体材料，从而例如能够减少需要在适度高的操作电压下操作的晶体管中的热载流子注入。为此，可以选择性地针对一种类型的晶体管应用良好可控的外延生长技术，同时不会过度地影响不同类型晶体管的材料特性的调整。

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IPC分类:

H	电学
H01	基本电气元件
H01L	半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L27/00	由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件（其零部件入H01L23/00，H01L29/00至H01L51/00；由多个单个固态器件组成的组装件入H01L25/00）
H01L27/02	.包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/12	..其衬底为非半导体的，例如为绝缘体的