本发明提供一种磁阻效应元件，在作为现有的隧道势垒层的材料或比使用了MgAl2O4的TMR元件更低的RA中，产生较高的MR比。磁阻效应元件的特征在于，具有层叠体，该层叠体按顺序层叠有：基底层、第一铁磁性金属层、隧道势垒层、第二铁磁性金属层，上述基底层由TiN、NbN、TaN、ZrN或它们的混晶构成，上述隧道势垒层由具有尖晶石结构的以下述的组成式(1)表示的化合物构成。(1)：AxB2Oy，式中，A为非磁性的二价阳离子，表示选自镁及锌中的1种以上的元素的阳离子，x表示满足0＜x≤2的数，y表示满足0＜y≤4的数。