发明授权
- 专利标题： 使用蚀刻停止层的存储器装置
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申请号： CN201710804253.8申请日： 2017-09-08
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公开(公告)号： CN107958869B公开(公告)日： 2021-11-12
- 发明人: 李正吉 , 金知勇 , 李呈焕 , 边大锡 , 林炫锡
- 申请人： 三星电子株式会社
- 申请人地址： 韩国京畿道水原市
- 专利权人： 三星电子株式会社
- 当前专利权人： 三星电子株式会社
- 当前专利权人地址： 韩国京畿道水原市
- 代理机构： 北京铭硕知识产权代理有限公司
- 代理商 刘灿强; 韩明花
- 优先权： 10-2016-0133448 20161014 KR
- 主分类号： H01L21/764
- IPC分类号： H01L21/764 ; H01L27/11524 ; H01L27/1157
摘要：
提供了一种存储器装置。存储器装置可以包括：栅极结构，包括在基底上交替地堆叠的多个栅电极层和多个绝缘层；多个蚀刻停止层，在所述多个栅电极层的各个下部上，分别从所述多个绝缘层延伸；多个接触件，分别连接到在蚀刻停止层的上部上方的所述多个栅电极层，其中，所述多个蚀刻停止层中的各个蚀刻停止层包括在其中的气隙。
公开/授权文献
- CN107958869A 使用蚀刻停止层的存储器装置 公开/授权日：2018-04-24
IPC分类:
