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公开(公告)号：CN114078876A
公开(公告)日：2022-02-22
申请号：CN202110563451.6
申请日：2021-05-21
申请人： 三星电子株式会社
IPC分类号： H01L27/11563 , H01L27/11573 , H01L27/11578
摘要： 一种半导体器件包括：衬底，包括存储单元区域和连接区域；多个栅极线，在衬底的存储单元区域中在竖直方向上彼此竖直地重叠，每个栅极线包括第一金属；阶梯状连接单元，在连接区域中，该阶梯状连接单元包括多个导电焊盘区域，每个导电焊盘区域包括第一金属并且一体地连接到多个栅极线中的相应栅极线；多个接触结构，与阶梯状连接单元竖直地重叠，每个接触结构连接到多个导电焊盘区域中的分别对应的导电焊盘区域并且包括第二金属；以及至少一个金属硅化物层，在至少一个接触结构与分别对应的导电焊盘区域之间。
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公开(公告)号：CN107958869B
公开(公告)日：2021-11-12
申请号：CN201710804253.8
申请日：2017-09-08
申请人： 三星电子株式会社
IPC分类号： H01L21/764 , H01L27/11524 , H01L27/1157
摘要： 提供了一种存储器装置。存储器装置可以包括：栅极结构，包括在基底上交替地堆叠的多个栅电极层和多个绝缘层；多个蚀刻停止层，在所述多个栅电极层的各个下部上，分别从所述多个绝缘层延伸；多个接触件，分别连接到在蚀刻停止层的上部上方的所述多个栅电极层，其中，所述多个蚀刻停止层中的各个蚀刻停止层包括在其中的气隙。
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公开(公告)号：CN115132732A
公开(公告)日：2022-09-30
申请号：CN202210286849.4
申请日：2022-03-22
申请人： 三星电子株式会社
IPC分类号： H01L27/108 , H01L21/8242 , H01L23/522 , H01L23/528
摘要： 公开了包括氮化物间隔件的半导体装置。所述半导体装置包括：基底；电极结构，设置在基底上同时沿第一方向延伸，电极结构包括沿第二方向堆叠的多个电极，第二方向是基底的垂直方向；位线，设置在电极结构上；垂直结构，沿第二方向延伸穿过电极结构并与基底接触，垂直结构中的每个包括电连接到位线的垂直半导体图案和围绕垂直半导体图案的侧壁的数据存储图案；共源极塞，在垂直结构设置在共源极塞之间的条件下沿第二方向延伸穿过电极结构并与基底接触；以及间隔件，分别设置为围绕共源极塞的侧壁，间隔件中的每个包括分别具有不同氮化物(N)浓度的区域。
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公开(公告)号：CN111354735A
公开(公告)日：2020-06-30
申请号：CN201910752389.8
申请日：2019-08-15
申请人： 三星电子株式会社
IPC分类号： H01L27/1157 , H01L27/11573 , H01L27/11575 , H01L27/11582
摘要： 提供了一种半导体装置。所述半导体装置包括：基底，具有单元区域和扩展区域；沟道结构，设置在单元区域中且在基本垂直于基底的上表面的第一方向上延伸；栅电极层，围绕沟道结构，并且堆叠成在第一方向上彼此分隔开且在基本垂直于第一方向的第二方向上延伸；以及字线切口，在第一方向上切割栅电极层且在第二方向上连续延伸。至少一个字线切口是具有扩展部分的扩展字线切口，该扩展部分在沿第二方向延伸的预定区域中具有位于与至少一个字线切口同一水平处的剩余的字线切口的面积不同的面积。
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公开(公告)号：CN109326607B
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN201810865994.1
申请日：2018-08-01
申请人： 三星电子株式会社
摘要： 一种三维半导体器件包括：栅电极，其包括焊盘区域，所述焊盘区域沿第一方向依次降低第一阶梯部分并且沿垂直于所述第一方向的第二方向依次降低第二阶梯部分，所述第二阶梯部分低于所述第一阶梯部分，其中，在依次降低所述第二阶梯部分的焊盘区域之中的单个焊盘区域沿所述第二方向的长度小于所述焊盘区域中的剩余焊盘区域沿所述第二方向的长度。
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公开(公告)号：CN109087919B
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN201810534936.0
申请日：2018-05-29
申请人： 三星电子株式会社
摘要： 公开了一种半导体器件。该半导体器件可以包括：半导体衬底，具有存储器单元区域和与存储器单元区域相邻的焊盘区域，所述焊盘区域可以包括第一焊盘区域、在存储器单元区域和第一焊盘区域之间的第二焊盘区域、以及第一焊盘区域和第二焊盘区域之间的缓冲区域。分离源极结构可以包括在半导体器件的平面图中彼此平行的第一部分和第二部分。第一源极结构和第二源极结构可以设置在分离源极结构的第一部分和第二部分之间。栅极组可以设置在分离源极结构的第一部分和第二部分之间存储器单元区域和焊盘区域中，其中第一源极结构和第二源极结构的每个端部具有平面形状，且每个端部的宽度随着每个端部朝向另一端部的延伸而增大然后减小。
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公开(公告)号：CN109087919A
公开(公告)日：2018-12-25
申请号：CN201810534936.0
申请日：2018-05-29
申请人： 三星电子株式会社
IPC分类号： H01L27/11582 , H01L27/11568
摘要： 公开了一种半导体器件。该半导体器件可以包括：半导体衬底，具有存储器单元区域和与存储器单元区域相邻的焊盘区域，所述焊盘区域可以包括第一焊盘区域、在存储器单元区域和第一焊盘区域之间的第二焊盘区域、以及第一焊盘区域和第二焊盘区域之间的缓冲区域。分离源极结构可以包括在半导体器件的平面图中彼此平行的第一部分和第二部分。第一源极结构和第二源极结构可以设置在分离源极结构的第一部分和第二部分之间。栅极组可以设置在分离源极结构的第一部分和第二部分之间存储器单元区域和焊盘区域中，其中第一源极结构和第二源极结构的每个端部具有平面形状，且每个端部的宽度随着每个端部朝向另一端部的延伸而增大然后减小。
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公开(公告)号：CN116782648A
公开(公告)日：2023-09-19
申请号：CN202310246985.5
申请日：2023-03-15
申请人： 三星电子株式会社
摘要： 提供了一种半导体装置和数据存储系统。该半导体装置包括在半导体衬底上的堆叠结构。该堆叠结构包括第一栅极堆叠组和第二栅极堆叠组，第一栅极堆叠组包括多个间隔开的第一栅电极，第二栅极堆叠组包括多个间隔开的第二栅电极。第二栅极堆叠组在第一栅极堆叠组上延伸，使得第一栅极堆叠组在第二栅极堆叠组与衬底之间延伸。提供多个有源沟道结构，该多个有源沟道结构竖直地穿透第二栅极堆叠组作为上沟道结构并且竖直地穿透第一栅极堆叠组作为下沟道结构。提供竖直地穿透第二栅极堆叠组但不穿透第一栅极堆叠组的多个伪沟道结构。
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公开(公告)号：CN115589728A
公开(公告)日：2023-01-10
申请号：CN202210779852.X
申请日：2022-07-04
申请人： 三星电子株式会社
摘要： 提供一种具有改进的可靠性的非易失性存储器装置。该非易失性存储器装置包括：衬底；包括堆叠在衬底上的多条字线的模制结构；被配置为切割模制结构的第一字线切割区；与第一字线切割区间隔开第一距离并且设置在模制结构和衬底中的第一沟道结构；以及与第一字线切割区间隔开第二距离并且设置在模制结构和衬底中的第二沟道结构，其中，第二距离大于第一距离，第一沟道结构的第一宽度不同于第二沟道结构的第二宽度，并且第一沟道结构的第一长度不同于第二沟道结构的第二长度。
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公开(公告)号：CN114944402A
公开(公告)日：2022-08-26
申请号：CN202210140881.1
申请日：2022-02-16
申请人： 三星电子株式会社
IPC分类号： H01L27/11575
摘要： 提供了一种集成电路装置和电子系统。所述集成电路装置包括：半导体衬底，其具有单元区和位于单元区外部的虚设区；多个栅电极和多个绝缘层，它们位于单元区中，在平行于半导体衬底的主表面的第一方向和第二方向上延伸，并且在垂直于半导体衬底的主表面的第三方向上交替地堆叠，第一方向和第二方向彼此交叉；以及多个虚设模制层和多个虚设绝缘层，它们在虚设区中在第三方向上交替地堆叠，其中，多个虚设模制层中的上虚设模制层的碳浓度小于多个虚设模制层中的下虚设模制层的碳浓度，下虚设模制层在上虚设模制层与半导体衬底的主表面之间。
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