发明公开
- 专利标题: 一种多级晶闸管串联的压接结构
- 专利标题(英): Crimping structure with series connection of thyristors of multiple stages
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申请号: CN201711219322.5申请日: 2017-11-28
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公开(公告)号: CN107958887A公开(公告)日: 2018-04-24
- 发明人: 苟锐锋 , 李志强 , 张雷 , 娄彦涛 , 杨晓平 , 王英洁 , 宋双祥
- 申请人: 中国西电电气股份有限公司
- 申请人地址: 陕西省西安市高新区唐兴路7号
- 专利权人: 中国西电电气股份有限公司
- 当前专利权人: 中国西电电气股份有限公司
- 当前专利权人地址: 陕西省西安市高新区唐兴路7号
- 代理机构: 西安通大专利代理有限责任公司
- 代理商 强宏超
- 主分类号: H01L23/40
- IPC分类号: H01L23/40
摘要:
本发明提供了一种多级晶闸管串联的压接结构,两个绝缘拉环以及与两个绝缘拉环连接的左轭、右轭组成压接结构的外部框架,多个散热器和多个晶闸管相间串联组成硅堆单元,硅堆单元通过设置在一端的压力单元安装在左轭、右轭之间;绝缘拉环可提供比现有拉紧装置更大范围的压紧力,保证晶闸管与散热器的良好接触,使得晶闸管获得良好散热效果以及通流效果,可以满足更大尺寸、更多级数的晶闸管的压装需求,本发明压接结构紧凑,零部件数量少,组装简单,维修方便。
公开/授权文献
- CN107958887B 一种多级晶闸管串联的压接结构 公开/授权日:2019-01-18
IPC分类: