一种半导体器件及其形成方法，其中方法包括：提供基底，部分基底上有栅极结构膜；形成第一侧墙和掩膜侧墙，第一侧墙分别覆盖栅极结构膜两侧侧壁，第一侧墙的顶部表面高于栅极结构膜的顶部表面，掩膜侧墙位于部分栅极结构膜上，掩膜侧墙与高于栅极结构膜顶部表面的第一侧墙侧壁接触；以第一侧墙和掩膜侧墙为掩膜刻蚀栅极结构膜，形成具有相对的第一侧和第二侧的栅极结构，第一侧墙位于栅极结构第一侧；在栅极结构第一侧和第二侧分别形成第二侧墙，栅极结构第一侧的第二侧墙在第一侧墙侧壁表面，栅极结构第二侧的第二侧墙在栅极结构和掩膜侧墙的侧壁表面；之后在栅极结构第一侧和第二侧的基底中分别对应形成漏区和源区。所述方法使工艺难度降低。