Invention Grant
- Patent Title: 半导体器件
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Application No.: CN201710985713.1Application Date: 2017-10-20
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Publication No.: CN107968634BPublication Date: 2023-11-14
- Inventor: 沟神正和
- Applicant: 瑞萨电子株式会社
- Applicant Address: 日本东京
- Assignee: 瑞萨电子株式会社
- Current Assignee: 瑞萨电子株式会社
- Current Assignee Address: 日本东京
- Agency: 中原信达知识产权代理有限责任公司
- Agent 李兰; 孙志湧
- Main IPC: H03F1/02
- IPC: H03F1/02 ; H03F3/195 ; H03F3/217
Abstract:
本发明提供一种半导体器件。在相关技术的半导体器件中,存在的问题是,不能有效抑制源自由矩形波信号驱动的功率放大器中的二次谐波失真。根据实施例,半导体器件生成发送信号(RF_OUT),发送信号(RF_OUT)用于通过接收占空比低于50%的第一发送脉冲(INd_P)和第二发送脉冲(INd_N)来驱动天线,将第一发送脉冲(INd_P)和第二发送脉冲(INd_N)之间的相位差调节成预定的相位差,并且将相位差调节后的第一发送脉冲(INd_P)和第二发送脉冲(INd_N)供应到功率放大器(54)。
Public/Granted literature
- CN107968634A 半导体器件 Public/Granted day:2018-04-27
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IPC分类: