发明公开
- 专利标题: 一种二氧化硅纳米球阵列-VO2薄膜复合结构制备方法
- 专利标题(英): Preparation method of silicon dioxide nanosphere array-VO2 thin film composite structure
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申请号: CN201711079352.0申请日: 2017-11-06
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公开(公告)号: CN107988581A公开(公告)日: 2018-05-04
- 发明人: 梁继然 , 李鹏 , 宋晓龙 , 周立伟 , 郭津榜
- 申请人: 天津大学
- 申请人地址: 天津市南开区卫津路92号
- 专利权人: 天津大学
- 当前专利权人: 天津大学
- 当前专利权人地址: 天津市南开区卫津路92号
- 代理机构: 天津市北洋有限责任专利代理事务所
- 代理商 程小艳
- 主分类号: C23C14/35
- IPC分类号: C23C14/35 ; C23C14/18 ; C23C14/58 ; B05D7/24
摘要:
本发明公开一种二氧化硅纳米球阵列-VO2薄膜复合结构制备方法,利用提拉镀膜和磁控溅射镀膜工艺制备VO2薄膜沉积在二氧化硅纳米球阵列的结构,通过调节快速热退火的方式制备二氧化钒薄膜参数,并借助傅里叶变换红外光谱仪探讨结构透射率的变化规律。本发明将二氧化钒球壳和二氧化硅材料的结合展现出的结构色可以用在智能窗颜色的调节上,可以开发更具应用价值的复合材料。
IPC分类: