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公开(公告)号：CN118610075A
公开(公告)日：2024-09-06
申请号：CN202411081297.9
申请日：2024-08-08
申请人： 上海陛通半导体能源科技股份有限公司
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/3213 , H01L21/3205 , C23C14/02 , C23C14/18
摘要： 本发明公开了一种半导体晶圆剥铝返工方法，包括以下步骤：提供半导体晶圆，所述半导体晶圆包括铝层，以及位于铝层下的硅层；通过干法对部分铝层进行干法铝腐蚀；通过干法对腐蚀后的半导体晶圆进行干法扫硅渣，并同时进行超声波流水擦片；对剩余部分的铝层进行湿法铝腐蚀；对湿法铝腐蚀后的半导体晶圆进行漂洗并用刷子流水擦片，若合格则进行铝溅射，若不合格则重新漂洗并用刷子流水擦片至到合格，本发明通过分段剥铝，结合干法扫硅渣，以及通过刷子流水擦片的方式，可以提高剥铝的效率，减少返工时间，可为产能提升与提升产品良率起到极大作用。
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公开(公告)号：CN118603956A
公开(公告)日：2024-09-06
申请号：CN202410573984.6
申请日：2024-05-10
申请人： 西安交通大学
摘要： 本发明公开了一种柔性表面增强拉曼衬底及其制备方法，所述衬底表面含有阵列排布的金属纳米间隙，所述金属纳米间隙的宽度为3～5nm，由于金属纳米间隙宽度足够小，则产生局域电磁场效果足够强，所述衬底具有优异的检测灵敏度。所述衬底的制备方法非常简单，通过沉积金属与分子自组装，之后剥离与转移即可制得，在表面增强拉曼散射光谱研究中具有优异的可重复性。
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公开(公告)号：CN118291936B
公开(公告)日：2024-09-06
申请号：CN202410383931.8
申请日：2024-04-01
申请人： 江苏富乐华半导体科技股份有限公司
IPC分类号： C23C14/35 , C23C14/18 , C23C28/02 , H01S5/024 , C25D3/38 , C25D5/52 , C25D5/10 , C25D5/02 , C25D5/16 , C25D9/04 , C04B41/90
摘要： 本发明涉及热沉基板技术领域，具体为一种金刚石激光热沉基板制备方法。本发明利用金刚石材料的高导热率将其应用于高功率半导体激光器，可显著提高激光器的散热效果，大大提高了激光器的应用范围。本发明还通过对金刚石瓷片进行磁控溅射处理，溅射种子Ti层和种子Cu层，然后再电镀金属层，使其可以更好地应用于半导体激光器领域。本发明在镀金后的基板上还镀了改性纳米氮化硼层，纳米氮化硼的导热性能优异，在纳米氮化硼上复合了二氧化硅，二氧化硅的复合可以提高基板的耐腐蚀性和耐磨性；同时还加入了缓蚀剂1‑氨基苯并三唑做进一步改性，进一步提高了基板的耐腐蚀性。
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公开(公告)号：CN118591265A
公开(公告)日：2024-09-03
申请号：CN202310188030.9
申请日：2023-03-02
申请人： 南京理工大学
摘要： 本发明公开了一种磁控溅射制备的自旋零能隙半导体Mn2CoGa薄膜及其方法。该Mn2CoGa薄膜具有低的载流子浓度和高的迁移率，利用磁控溅射法制备，通过Ar离子轰击Mn2CoGa靶材，在SiO2/Si衬底上沉积薄膜，并通过调节背底气压、溅射气压、溅射功率、衬底温度、退火温度、退火时间等条件，得到了具有较强的立方结构特征峰且表面平整致密的Mn2CoGa薄膜，10K下载流子浓度为51020/cm3，迁移率为25cm2/Vs，同时电导率随温度升高而增大，有望应用于自旋注入与自旋晶体管器件。
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公开(公告)号：CN118581485A
公开(公告)日：2024-09-03
申请号：CN202410518818.6
申请日：2024-04-28
申请人： 华南理工大学
摘要： 本发明公开了一种n‑GaAs/NiO异质结光电极材料及其制备方法与应用，属于光电极的技术领域。该光电极材料包括自下而上的背面电极、n‑GaAs和NiO。本发明通过对制备的光电极进行电化学改性，从而构建n‑GaAs/NiO异质结促进了光生空穴的传输，有效提升光电流密度，明显降低了光电极的起始电位，并实现了高效的光电解水性能。本发明的光电极材料制备方法简易、成本低、稳定性好，为推动GaAs基光电极水分解产业化进程提供了良好的基础。
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公开(公告)号：CN118574400A
公开(公告)日：2024-08-30
申请号：CN202410642779.0
申请日：2024-05-22
申请人： 佛山纳诺特科技有限公司
IPC分类号： H05K9/00 , G02B1/11 , C23C14/18 , C23C14/20 , C23C14/08 , C23C14/10 , C23C14/06 , C23C14/35 , C23C14/58
摘要： 本公开属于电磁屏蔽材料技术领域，提供了一种透明电磁屏蔽膜及其制备方法。屏蔽膜包括自下而上依次设置的第一屏蔽层、第一增透层、基底层、第二增透层、第二屏蔽层；第一屏蔽层和第二屏蔽层为设置有相同网格化图案的金属层，且两屏蔽层的网格化图案相对于基底层的位置完全相同。制备方法：在基底层的两面沉积第一增透层和第二增透层；在两增透层背离基底层的一侧分别沉积第一金属层和第二金属层；在两金属层背离其相邻增透层的一侧分别涂布光刻胶，曝光两光刻胶，形成完全对准的第一网格化图案和第二网格化图案，完成第一屏蔽层和第二屏蔽层的制备。本公开的屏蔽膜结构简单，使用了双面对准的金属网格，可同时提升其屏蔽效能和透光率。
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公开(公告)号：CN118550023A
公开(公告)日：2024-08-27
申请号：CN202410893621.0
申请日：2024-07-04
IPC分类号： G02B5/28 , G02B5/20 , C23C14/30 , C23C14/08 , C23C14/10 , C23C14/18 , C23C14/26 , G01R31/12 , G01J1/00
摘要： 本申请提供一种诱导透射滤光片及其制备方法、紫外探测系统，诱导透射滤光片包括在基底上依次层叠的第一介质层、第一金属层、第二介质层、第二金属层、第三介质层、第三金属层以及第四介质层；第一金属层、第二金属层以及第三金属层的材料各自独立地包括金属铝；第一介质层、第二介质层、第三介质层以及第四介质层的材料各自独立地包括二氧化硅、三氧化二铝、二氧化铪以及氟化镁中的一种或多种；第一介质层、第二介质层、第三介质层以及第四介质层的厚度各自独立地为10nm~100nm；第一金属层、第二金属层以及第三金属层的厚度各自独立地为10nm~40nm。上述滤光片在日盲波段内具有高通带透过率的同时，还提高通带两侧的截止度。
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公开(公告)号：CN118531251A
公开(公告)日：2024-08-23
申请号：CN202410440682.1
申请日：2024-04-12
申请人： 中国工程物理研究院材料研究所
摘要： 本发明公开了一种金刚石铀复合材料及其制备方法，所述方法包括金刚石表面涂层制备、模具及涂层设计、自排气浸渗等工艺步骤，通过镀覆法在金刚石表面上沉积厚度从纳米级的钨镀层，避免了金刚石与铀金属的直接接触而出现制备过程中金刚石表面反应损伤和石墨化，结合自排气浸渗工艺，实现高体积分数、高致密度金刚石铀复合材料的制备，铀及其合金溶体充分浸渗入金刚石颗粒间的孔隙中，浸渗效果优异。
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公开(公告)号：CN118486758A
公开(公告)日：2024-08-13
申请号：CN202410454805.7
申请日：2024-04-16
申请人： 中国科学院重庆绿色智能技术研究院
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/102 , H01L31/0352 , H01L31/032 , H01L31/0236 , C23C14/35 , C23C14/16 , C23C14/18
摘要： 本发明公开一种图形化衬底表面的硫化铅薄膜制备方法，该方法包括：通过光刻剥离工艺在所述衬底表面局部沉积金属层，以使所述衬底被分割成具有金属或SiO2两种材料的分立生长平台；利用特定的工艺对所述衬底表面进行预处理，以改变金属和SiO2的表面特性；配置化学水浴生长硫化铅薄膜的前驱体溶液；将所述衬底放入前驱体溶液中，利用化学水浴沉积技术在所述衬底表面沉积硫化铅薄膜材料。本发明利用特定的光刻流程及氧等离子体对图形化衬底的表面进行简单处理，便可实现在SiO2和金属上均匀生长硫化铅薄膜的目的，而无需改变沉积溶液的配比或是沉积环境和条件，并且在整个衬底上生长的硫化铅薄膜保持高度的均匀性和一致性。
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公开(公告)号：CN118486755A
公开(公告)日：2024-08-13
申请号：CN202310100663.X
申请日：2023-02-10
申请人： 阜宁阿特斯阳光电力科技有限公司 , 阿特斯阳光电力集团股份有限公司
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/0216 , H01L31/0288 , C23C22/73 , C23C14/08 , C23C14/18 , C23C16/40 , C23C16/455 , C23C16/34
摘要： 本发明提供一种太阳能电池及其制备方法，太阳能电池的制备方法包括在硅基体的正面形成选择性发射极，形成所述选择性发射极包括：在硅基体正面的金属化区域进行铝掺杂和硼掺杂，形成重掺杂区；在硅基体正面的非金属化区域进行硼掺杂，形成轻掺杂区。本发明的太阳能电池及其制备方法，在正面金属化区域进行铝和硼的重掺杂，在非金属化区域进行硼的轻掺杂，避开了传统工艺中，二次硼扩重掺时面临的分凝系数和固浓度的问题，也可以降低温度减少能耗。
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