锗单晶片、其制法、晶棒的制法及单晶片的用途

发明授权

CN108091708B 锗单晶片、其制法、晶棒的制法及单晶片的用途有权

摘要：

本发明涉及增加多节太阳能电池开路电压锗(Ge)单晶片、锗单晶片的制备方法及制备锗单晶片的晶棒的制备方法。通过调整锗单晶片中共掺杂元素硅与镓的量、制备增加多节太阳能电池开路电压锗单晶棒时共掺杂元素硅与镓的比例以及锗单晶生长的速率和温度梯度，制得能够增加多级太阳能电池底电池开路电压的锗单晶片。

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IPC分类:

H	电学
H01	基本电气元件
H01L	半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L31/00	对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或设备；其零部件（H01L51/42优先；由形成在一共用衬底内或其上的多个固态组件，而不是辐射敏感元件与一个或多个电光源的结合所组成的器件入H01L27/00）
H01L31/0248	.以其半导体本体为特征的
H01L31/0256	..以材料为特征的
H01L31/0264	...无机材料
H01L31/028	....除掺杂或其他杂质外，只包含周期表Ⅳ族元素的
H01L31/0288	.....以掺杂材料为特征的