公开(公告)号：CN108091708B

公开(公告)日：2020-08-14

申请号：CN201711296746.1

申请日：2017-12-08

申请人： 北京通美晶体技术有限公司

发明人： 拉贾拉姆·谢蒂 ,  王元立 ,  周雯婉 ,  刘卫国 ,  朱颂义

IPC分类号： H01L31/0288 ,  H01L31/18 ,  C30B13/00 ,  C30B29/08

摘要： 本发明涉及增加多节太阳能电池开路电压锗(Ge)单晶片、锗单晶片的制备方法及制备锗单晶片的晶棒的制备方法。通过调整锗单晶片中共掺杂元素硅与镓的量、制备增加多节太阳能电池开路电压锗单晶棒时共掺杂元素硅与镓的比例以及锗单晶生长的速率和温度梯度，制得能够增加多级太阳能电池底电池开路电压的锗单晶片。

公开(公告)号：CN110202419A

公开(公告)日：2019-09-06

申请号：CN201910483748.4

申请日：2019-05-31

申请人： 北京通美晶体技术有限公司

发明人： 拉贾拉姆·谢蒂 ,  王元立 ,  刘卫国 ,  周雯婉 ,  朱颂义

IPC分类号： B24B1/00 ,  B24B9/06 ,  B28D5/00 ,  C30B11/02 ,  C30B29/08 ,  H01L29/06 ,  H01L29/16

摘要： 本发明涉及锗单晶片，其包含原子浓度为3×1014atoms/cc至10×1018atoms/cc的硅、原子浓度为1×1016atoms/cc至10×1018atoms/cc的硼以及原子浓度为1×1016atoms/cc至10×1019atoms/cc的镓。本发明还涉及该锗单晶片的制法、锗单晶棒的制法，以及涉及锗单晶片用于增加太阳能电池开路电压的用途。本发明的获得的锗单晶片具有改进的电学性能，特别是具有更小的电阻率差和载流子浓度差。

公开(公告)号：CN108091708A

公开(公告)日：2018-05-29

申请号：CN201711296746.1

申请日：2017-12-08

申请人： 北京通美晶体技术有限公司

发明人： 拉贾拉姆·谢蒂 ,  王元立 ,  周雯婉 ,  刘卫国 ,  朱颂义

IPC分类号： H01L31/0288 ,  H01L31/18 ,  C30B13/00 ,  C30B29/08

摘要： 本发明涉及增加多节太阳能电池开路电压锗(Ge)单晶片、锗单晶片的制备方法及制备锗单晶片的晶棒的制备方法。通过调整锗单晶片中共掺杂元素硅与镓的量、制备增加多节太阳能电池开路电压锗单晶棒时共掺杂元素硅与镓的比例以及锗单晶生长的速率和温度梯度，制得能够增加多级太阳能电池底电池开路电压的锗单晶片。

公开(公告)号：CN207289703U

公开(公告)日：2018-05-01

申请号：CN201721053317.7

申请日：2017-08-22

申请人： 北京通美晶体技术有限公司

发明人： 洪庆福 ,  程伯海 ,  王元立 ,  周雯婉 ,  朱颂义

IPC分类号： B24B9/16

摘要： 本实用新型所提供的晶片倒角机包括控制箱和加工台，其中控制箱包括可编程逻辑控制器控制系统和步进电机驱动器，加工台包括平台、导轨、丝杆、滑台、滑轨、传动装置、晶片真空吸台、第一步进电机、第二步进电机。在所述导轨和丝杆之间可移动地设有一个滑台；所述第一步进电机根据可编程逻辑控制器控制系统发出的信号推动滑台沿着导轨和丝杆纵向移动；滑台上设置的横向滑轨上设有晶片真空吸台，该晶片真空吸台与所述平台平面之间的角度固定；第二步进电机根据可编程逻辑控制器控制系统发出的信号通过一个传动装置使晶片真空吸台沿着滑轨在横向方向上做往复运动，实现对晶片倒角。采用该倒角机，只需要操作人员简单操作即可完成该晶片倒角。