发明公开
CN1081026A 无包层单量子阱II-VI族激光二极管
失效 - 权利终止
- 专利标题： 无包层单量子阱II-VI族激光二极管
- 专利标题（英）： SINGLE QUANTUM WELL II-VI LASER DIODE WITHOUT CLADDING
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申请号： CN93105938.0申请日： 1993-05-21
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公开(公告)号： CN1081026A公开(公告)日： 1994-01-19
- 发明人: 程华 , 詹姆斯·M·德普伊特 , 迈克尔·A·哈泽 , 邱军
- 申请人： 明尼苏达州采矿制造公司
- 申请人地址： 美国明尼苏达州
- 专利权人： 明尼苏达州采矿制造公司
- 当前专利权人： 明尼苏达州采矿制造公司
- 当前专利权人地址： 美国明尼苏达州
- 代理机构： 中国国际贸易促进委员会专利代理部
- 代理商 王以平
- 优先权： 07/887,468 1992.05.22 US
- 主分类号： H01S3/19
- IPC分类号： H01S3/19 ; H01L33/00
摘要：
一种无半导体包层的单量子阱II-VI族激光二极管，它包括由覆盖在n型GaAs衬底上的p型和n型光导层。CdSe/ZnSe短周期应变层超晶格单量子阱有源层位于两导向层之间。Au电极从与单量子阱有源层相反的一方覆盖在p型导向层之上。导向层的厚度使衬底和Au电极能把器件产生的光束约束在有源层和导向层之间。
公开/授权文献
- CN1034454C 无包层单量子阱II-VI族激光二极管 公开/授权日：1997-04-02
