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公开(公告)号：CN1081027A
公开(公告)日：1994-01-19
申请号：CN93105939.9
申请日：1993-05-21
申请人： 明尼苏达州采矿制造公司
发明人： 程华 , 詹姆斯·M·德普伊特 , 迈克尔·A·哈泽 , 邱军
CPC分类号： H01S5/347 , B82Y20/00 , H01L21/02395 , H01L21/02474 , H01L21/02477 , H01L21/0248 , H01L21/02491 , H01L21/02507 , H01L21/02557 , H01L21/0256 , H01L21/02562 , H01L21/02576 , H01L21/02579 , H01L21/02631 , H01L33/0087 , H01L2924/0002 , H01S5/3403 , H01S5/3406 , H01S5/342 , H01L2924/00
摘要： 用原子层外延(ALE)和/或迁移增强外延(MEE)生长II-VI族激光二极管的高效率量子阱的方法。激光二极管衬底和初始生长层在MBE生长室内被加热至小于或等于约200℃的温度。Cd、Zn和Se被交替注入生长室以生长短周期应变层超晶格(SPSLS)量子阱层，其中包含重叠的Cd、Zn和Se单原子层。量子阱层用式[(CdSe)m(ZnSe)n]p表述，其中m、n和p为整数。
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公开(公告)号：CN1081026A
公开(公告)日：1994-01-19
申请号：CN93105938.0
申请日：1993-05-21
申请人： 明尼苏达州采矿制造公司
发明人： 程华 , 詹姆斯·M·德普伊特 , 迈克尔·A·哈泽 , 邱军
CPC分类号： B82Y20/00 , H01L33/0087 , H01L2924/0002 , H01S5/3403 , H01S5/342 , H01S5/347 , H01L2924/00
摘要： 一种无半导体包层的单量子阱II-VI族激光二极管，它包括由覆盖在n型GaAs衬底上的p型和n型光导层。CdSe/ZnSe短周期应变层超晶格单量子阱有源层位于两导向层之间。Au电极从与单量子阱有源层相反的一方覆盖在p型导向层之上。导向层的厚度使衬底和Au电极能把器件产生的光束约束在有源层和导向层之间。
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公开(公告)号：CN1034454C
公开(公告)日：1997-04-02
申请号：CN93105938.0
申请日：1993-05-21
申请人： 明尼苏达州采矿制造公司
发明人： 程华 , 詹姆斯·M·德普伊特 , 迈克尔·A·哈泽 , 邱军
CPC分类号： B82Y20/00 , H01L33/0087 , H01L2924/0002 , H01S5/3403 , H01S5/342 , H01S5/347 , H01L2924/00
摘要： 一种无半导体包层的单量子阱II-VI族激光二极管，它包括由覆盖在n型GaAs衬底上的p型和n型光导层。CdSe/ZnSe短周期应变层超晶格单量子阱有源层位于两导向层之间。Au电极从与单量子阱有源层相反的一方覆盖在p型导向层之上。导向层的厚度使衬底和Au电极能把器件产生的光束约束在有源层和导向层之间。
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公开(公告)号：CN1034455C
公开(公告)日：1997-04-02
申请号：CN93105939.9
申请日：1993-05-21
申请人： 明尼苏达州采矿制造公司
发明人： 程华 , 詹姆斯·M·德普伊特 , 迈克尔·A·哈泽 , 邱军
CPC分类号： H01S5/347 , B82Y20/00 , H01L21/02395 , H01L21/02474 , H01L21/02477 , H01L21/0248 , H01L21/02491 , H01L21/02507 , H01L21/02557 , H01L21/0256 , H01L21/02562 , H01L21/02576 , H01L21/02579 , H01L21/02631 , H01L33/0087 , H01L2924/0002 , H01S5/3403 , H01S5/3406 , H01S5/342 , H01L2924/00
摘要： 用原子层外延(ALE)和/或迁移增强外延(MEE)生长II-VI族激光二极管的高效率量子阱的方法。激光二极管衬底和初始生长层在MBE生长室内被加热至小于或等于约200℃的温度。Cd、Zn和Se被交替注入生长室以生长短周期应变层超晶格(SPSLS)量子阱层，其中包含重迭的Cd、Zn和Se单原子层。量子阱层用式[(CdSe)m(ZnSe)n]p表述，其中m、n和p为整数。
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