发明授权
- 专利标题： 高电压竖直功率部件
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申请号： CN201810069975.8申请日： 2013-05-29
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公开(公告)号： CN108110053B公开(公告)日： 2021-11-16
- 发明人: S·梅纳德 , G·高蒂尔
- 申请人： 意法半导体(图尔)公司 , 法国国立图尔大学
- 申请人地址： 法国图尔;
- 专利权人： 意法半导体(图尔)公司,法国国立图尔大学
- 当前专利权人： 意法半导体(图尔)公司,法国国立图尔大学
- 当前专利权人地址： 法国图尔;
- 代理机构： 北京市金杜律师事务所
- 代理商 王茂华; 吕世磊
- 优先权： 1254987 20120530 FR
- 主分类号： H01L29/74
- IPC分类号： H01L29/74 ; H01L29/06
摘要：
本发明公开了一种竖直功率部件，包括：第一传导类型的硅衬底；在衬底的支撑单个电极的下表面侧上的第二传导类型的下层；和在衬底的支撑传导电极和栅极电极的上表面侧上的第二传导类型的上区域，其中，部件外围包括：在下表面侧上，穿入衬底向下至比下层的深度的大深度的多孔硅绝缘环。
公开/授权文献
- CN108110053A 高电压竖直功率部件 公开/授权日：2018-06-01
IPC分类:
