发明公开
- 专利标题: 对RF放大器的调节
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申请号: CN201710289912.9申请日: 2017-04-27
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公开(公告)号: CN108123685A公开(公告)日: 2018-06-05
- 发明人: L·福格特
- 申请人: 意法半导体有限公司
- 申请人地址: 法国蒙鲁
- 专利权人: 意法半导体有限公司
- 当前专利权人: 意法半导体法国公司
- 当前专利权人地址: 法国蒙鲁日
- 代理机构: 北京市金杜律师事务所
- 代理商 王茂华; 张昊
- 优先权: 1661610 2016.11.29 FR
- 主分类号: H03F1/02
- IPC分类号: H03F1/02 ; H03F1/30 ; H03F3/19 ; H03F1/56 ; H03F3/45
摘要:
本发明涉及对RF放大器的调节,例如,射频放大器(1)的电源和偏置级(4),该射频放大器的放大级(3)包括至少一个MOS晶体管,该MOS晶体管的控制端子被连接到输入端子(31),并且该MOS晶体管的第一导电端子被连接到输出端子(36),其中,所述晶体管的控制端子的偏置电压是受控的,其方式为同时以标称值调节该放大级的电源电压并且以标称值调节该放大级的偏置电流。
公开/授权文献
- CN108123685B 对RF放大器的调节 公开/授权日:2021-05-11