发明公开
- 专利标题: 半导体装置和用于制造半导体装置的方法
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申请号: CN201680058117.2申请日: 2016-10-07
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公开(公告)号: CN108140628A公开(公告)日: 2018-06-08
- 发明人: 胁山悟 , 清水完 , 林利彦 , 中村卓矢 , 城直树
- 申请人: 索尼半导体解决方案公司
- 申请人地址: 日本神奈川县
- 专利权人: 索尼半导体解决方案公司
- 当前专利权人: 索尼半导体解决方案公司
- 当前专利权人地址: 日本神奈川县
- 代理机构: 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司
- 代理商 姚鹏; 曹正建
- 优先权: 2015-207233 2015.10.21 JP
- 国际申请: PCT/JP2016/079894 2016.10.07
- 国际公布: WO2017/068997 EN 2017.04.27
- 进入国家日期: 2018-03-30
- 主分类号: H01L23/485
- IPC分类号: H01L23/485 ; H01L21/60 ; H01L27/146
摘要:
本发明涉及摄像装置,所述摄像装置包括第一半导体元件,所述第一半导体元件包括至少一个具有凹陷形状的凸块焊盘。所述至少一个凸块焊盘包括第一金属层和所述第一金属层上的第二金属层。所述摄像装置包括第二半导体元件,所述第二半导体元件包括至少一个电极。所述摄像装置包括微凸块,所述微凸块将所述至少一个凸块焊盘电气地连接到所述至少一个电极。所述微凸块包括所述第二金属层的扩散部,并且所述第一半导体元件或者所述第二半导体元件包括像素单元。
公开/授权文献
- CN108140628B 半导体装置和用于制造半导体装置的方法 公开/授权日:2021-11-16
IPC分类: