发明授权
- 专利标题： 一种隧穿场效应晶体管及其制作方法
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申请号： CN201580083786.0申请日： 2015-11-13
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公开(公告)号： CN108140672B公开(公告)日： 2020-08-07
- 发明人: 赵静 , 张臣雄
- 申请人： 华为技术有限公司
- 申请人地址： 广东省深圳市龙岗区坂田华为总部办公楼
- 专利权人： 华为技术有限公司
- 当前专利权人： 华为技术有限公司
- 当前专利权人地址： 广东省深圳市龙岗区坂田华为总部办公楼
- 代理机构： 广州三环专利商标代理有限公司
- 代理商 熊永强; 李稷芳
- 国际申请： PCT/CN2015/094590 2015.11.13
- 国际公布： WO2017/079979 ZH 2017.05.18
- 进入国家日期： 2018-04-11
- 主分类号： H01L29/78
- IPC分类号： H01L29/78
摘要：
一种隧穿场效应晶体管及其制作方法，该隧穿场效应晶体管中源区(30)位于氧化物结构(20)两侧，外延层(40)位于源区(30)背离氧化物结构(20)一侧表面，栅极结构(50)位于外延层(40)背离源区(30)一侧表面，从而使得隧穿场效应晶体管的栅极电场方向与电子隧穿方向一致，源区价带的载流子隧穿到外延层导带的隧穿效率较高，可以产生陡直的亚阈值摆幅，进而使得隧穿场效应晶体管的亚阈值摆幅值低于60mV/dec，功耗较小。而且，本发明实施例中，外延层(40)全部位于栅极结构(50)与源区(30)之间，增加了外延层(40)与源区(30)之间的隧穿面积，进一步提高了隧穿场效应晶体管的亚阈值特性，降低了隧穿场效应晶体管的亚阈值摆幅值。
公开/授权文献
- CN108140672A 一种隧穿场效应晶体管及其制作方法 公开/授权日：2018-06-08
IPC分类:
