发明授权
- 专利标题： 积体电感及其制造方法
-
申请号： CN201611097219.3申请日： 2016-12-02
-
公开(公告)号： CN108155177B公开(公告)日： 2020-10-23
- 发明人: 颜孝璁 , 简育生 , 叶达勋
- 申请人： 瑞昱半导体股份有限公司
- 申请人地址： 中国台湾新竹科学工业园区创新二路2号
- 专利权人： 瑞昱半导体股份有限公司
- 当前专利权人： 瑞昱半导体股份有限公司
- 当前专利权人地址： 中国台湾新竹科学工业园区创新二路2号
- 代理机构： 北京德恒律治知识产权代理有限公司
- 代理商 章社杲; 李伟
- 主分类号： H01L23/64
- IPC分类号： H01L23/64
摘要：
一种积体电感，其包含基板、绝缘层及电感。基板包含沟槽。至少一部分的绝缘层形成于沟槽内。电感配置于沟槽内，并位于绝缘层上。
公开/授权文献
- CN108155177A 积体电感及其制造方法 公开/授权日：2018-06-12
IPC分类:
