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公开(公告)号：CN110060849B
公开(公告)日：2021-04-06
申请号：CN201810054711.5
申请日：2018-01-19
申请人： 瑞昱半导体股份有限公司
IPC分类号： H01F27/28
摘要： 一种八字形电感性线圈装置，包含：第一及第二螺旋状线圈及连接线段结构。第一螺旋状线圈包含分别位于上下相邻的第一及第二金属层的第一金属线段及跨接线段，并具有至少一对第一连接端点。第二螺旋状线圈具有至少一对第二连接端点。连接线段结构电性耦接第一及第二连接端点。第一及第二螺旋状线圈沿假想轴线并置，且假想轴线穿越第一及第二螺旋状线圈分别围绕的范围的中心区域，跨接线段及连接线段结构电性耦接第一金属线段中大致垂直于假想轴线的部分，且跨接线段及连接线段结构大致位于假想轴线上。
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公开(公告)号：CN107293590B
公开(公告)日：2020-08-18
申请号：CN201610227093.0
申请日：2016-04-13
申请人： 瑞昱半导体股份有限公司
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/336
摘要： 本发明公开了一种鳍式场效应晶体管及其制造方法。鳍式场效应晶体管包括基底、鳍片结构、栅极堆叠结构及隔离结构。鳍片结构设置于基底上并具有多个沟渠，而栅极堆叠结构其覆盖于鳍片结构。隔离结构配置于基底上，以隔离栅极堆叠结构与基底，其中隔离结构具有不同的厚度。本发明所提供的鳍式场效应晶体管及其制造方法，通过改变隔离结构在不同区域的厚度，可微调鳍式场效应晶体管的等效通道宽度，以应用于不同的集成电路设计。
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公开(公告)号：CN108962563B
公开(公告)日：2020-07-28
申请号：CN201710358803.8
申请日：2017-05-19
申请人： 瑞昱半导体股份有限公司
摘要： 一种电感装置，其包含第一电感单元与第二电感单元。第一电感单元包含第一线圈与第二线圈。第一线圈绕设成复数圈。第二线圈与第一线圈相应绕设为复数圈。第一线圈及/或第二线圈于第一端点处、第二端点处、第一侧与第二侧分别交错绕设。第二电感单元包含第三线圈与第四线圈。第三线圈绕设成复数圈。第四线圈与第三线圈相应绕设为复数圈。第三线圈及/或第四线圈于第三端点处、第四端点处、第三侧与第四侧分别交错绕设。第一电感单元的第一线圈耦接于第二电感单元的第四线圈，第一电感单元的第二线圈耦接于第二电感单元的第三线圈。
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公开(公告)号：CN108573948B
公开(公告)日：2020-04-07
申请号：CN201710146537.2
申请日：2017-03-13
申请人： 瑞昱半导体股份有限公司
IPC分类号： H01L23/522 , H01F27/28
摘要： 一种包含两绕组的半导体元件。第一绕组实质上位于一半导体结构的一第一金属层，包含：一第一外部线圈；一第一内部线圈；以及一第一跨接结构，位于该第一内部线圈所实质包围的范围内，用来连接该第一外部线圈及该第一内部线圈。第二绕组实质上位于该半导体结构的一第二金属层，包含：一第二外部线圈；一第二内部线圈；以及一第二跨接结构，位于该第二内部线圈所实质包围的范围内，用来连接该第二外部线圈及该第二内部线圈。该第一跨接结构实质上位于该半导体结构的该第二金属层，以及该第二跨接结构实质上位于该半导体结构的该第一金属层。
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公开(公告)号：CN107123636B
公开(公告)日：2020-01-10
申请号：CN201610104420.3
申请日：2016-02-25
申请人： 瑞昱半导体股份有限公司
IPC分类号： H01L23/535
摘要： 本发明公开了一种集成电路装置，包括一传输线，传输线包括一第一接地线和一第一信号线。第一接地线包括一第一垫、一第二垫及一第一接合线，第一接合线为一种打线结构，连接第一垫与第二垫。第一信号线包括一第三垫、一第四垫及一第二接合线，第二接合线为一种打线结构，连接第三垫与第四垫。因此，传输线仅占用少量的集成电路面积，且可提供足够低的特征阻抗。
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公开(公告)号：CN110033921A
公开(公告)日：2019-07-19
申请号：CN201810031925.0
申请日：2018-01-12
申请人： 瑞昱半导体股份有限公司
摘要： 一种电感装置，其包含第一电感以及第二电感。第一电感包含复数个第一线圈及第一连接件。第二电感包含复数个第二线圈及第二连接件。部分第一线圈绕设于第一区域，部分第一线圈绕设于第二区域，上述第一区域与第二区域分别位于电感装置的两侧。第一连接件用以连接位于第一区域的第一线圈及位于第二区域的第一线圈。部分第二线圈绕设于第一区域，部分第二线圈绕设于第二区域。第二连接件的一端用以连接位于电感装置内侧的第二线圈的端点，其另一端设置于电感装置外侧。第一电感与第二电感以电感装置的中心线为基准而相互对称。
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公开(公告)号：CN108573948A
公开(公告)日：2018-09-25
申请号：CN201710146537.2
申请日：2017-03-13
申请人： 瑞昱半导体股份有限公司
IPC分类号： H01L23/522 , H01F27/28
摘要： 一种包含两绕组的半导体元件。第一绕组实质上位于一半导体结构的一第一金属层，包含：一第一外部线圈；一第一内部线圈；以及一第一跨接结构，位于该第一内部线圈所实质包围的范围内，用来连接该第一外部线圈及该第一内部线圈。第二绕组实质上位于该半导体结构的一第二金属层，包含：一第二外部线圈；一第二内部线圈；以及一第二跨接结构，位于该第二内部线圈所实质包围的范围内，用来连接该第二外部线圈及该第二内部线圈。该第一跨接结构实质上位于该半导体结构的该第二金属层，以及该第二跨接结构实质上位于该半导体结构的该第一金属层。
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公开(公告)号：CN104981087B
公开(公告)日：2018-04-13
申请号：CN201410134385.0
申请日：2014-04-03
申请人： 瑞昱半导体股份有限公司
IPC分类号： H05K1/02
摘要： 本发明涉及信号传输线结构及其应用的电子装置。一种信号传输线结构包括基板、多个硅穿孔（TSV）式沟槽、导电物质、至少一个导电线路以及介电层。基板具有彼此相对的第一表面以及第二表面。硅穿孔式沟槽形成在基板的第一表面并沿着第一表面延伸。硅穿孔式沟槽的底面位于基板的第一表面与第二表面之间。导电物质填满硅穿孔式沟槽以致形成传输线路。导电线路位于传输线路的上方。介电层位于基板的第一表面上，并间隔导电线路与传输线路。
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公开(公告)号：CN107731781A
公开(公告)日：2018-02-23
申请号：CN201610665108.1
申请日：2016-08-12
申请人： 瑞昱半导体股份有限公司
IPC分类号： H01L23/522 , H01F27/28
摘要： 一种半导体元件，包含：一第一线圈，实质上位于一第一平面；一第二线圈，实质上位于该第一平面；一连接部，连接该第一线圈及该第二线圈；一第三线圈，实质上位于一第二平面，该第二平面不同于该第一平面；以及一第四线圈，实质上位于该第二平面；其中，该第三线圈与该第一线圈透过贯穿结构连接，该第四线圈与该第二线圈透过贯穿结构连接，且该第三线圈及该第四线圈不直接连接。
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