发明公开
- 专利标题: 改善HTO厚度稳定性的方法
- 专利标题(英): Method for improving HTO thickness stability
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申请号: CN201711419332.3申请日: 2017-12-25
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公开(公告)号: CN108165953A公开(公告)日: 2018-06-15
- 发明人: 涂新星 , 张召
- 申请人: 上海华力微电子有限公司
- 申请人地址: 上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区高斯路568号
- 专利权人: 上海华力微电子有限公司
- 当前专利权人: 上海华力微电子有限公司
- 当前专利权人地址: 上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区高斯路568号
- 代理机构: 上海浦一知识产权代理有限公司
- 代理商 戴广志
- 主分类号: C23C16/44
- IPC分类号: C23C16/44
摘要:
本发明公开了一种改善HTO厚度稳定性的方法,在炉管HTO机台正常的工艺过程中,在累积膜厚达到一定数值时,通过自动运行新的循环清洁程式,该循环清洁程式采用高低温度/压力同时切换的方式,在高压高温条件下,利用蒸汽压的不同将含氯副产物转化成气态带出,达到有效去除的效果。本发明能够有效去除掉工艺腔体底部的副产物,保证机台成膜工艺的厚度稳定性。
公开/授权文献
- CN108165953B 改善HTO厚度稳定性的方法 公开/授权日:2020-06-30
IPC分类: