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公开(公告)号：CN108165953A
公开(公告)日：2018-06-15
申请号：CN201711419332.3
申请日：2017-12-25
申请人： 上海华力微电子有限公司
IPC分类号： C23C16/44
CPC分类号： C23C16/4408
摘要： 本发明公开了一种改善HTO厚度稳定性的方法，在炉管HTO机台正常的工艺过程中，在累积膜厚达到一定数值时，通过自动运行新的循环清洁程式，该循环清洁程式采用高低温度/压力同时切换的方式，在高压高温条件下，利用蒸汽压的不同将含氯副产物转化成气态带出，达到有效去除的效果。本发明能够有效去除掉工艺腔体底部的副产物，保证机台成膜工艺的厚度稳定性。
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公开(公告)号：CN116288270A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310171791.3
申请日：2023-02-24
申请人： 上海华力微电子有限公司
IPC分类号： C23C16/455 , C23C16/44
摘要： 本发明提供了一种气体注入管及ONO炉管淀积装置，用于改善ONO炉管淀积工艺中的膜质均匀性，所述气体注入管包括呈U形设置的预热段、过渡段及注入段，所述预热段的顶端通过所述过渡段与所述注入段的顶端连接，所述预热段的底端设置有供反应气体进入的进气口，所述注入段沿高度方向开设有若干用于向所述ONO炉管的腔体内通入所述反应气体的出气口。利用ONO炉管进行膜淀积时，反应气体通过进气口进入预热段，经所述预热段预热后再进入注入段，并经所述注入段上的出气口进入所述ONO炉管的腔体内，在此过程中反应气体得到了预热，可有效改善所述腔体内的晶舟不同位置处的反应气体浓度及反应活性存在差异而导致的膜质均匀性的问题。
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公开(公告)号：CN107910278A
公开(公告)日：2018-04-13
申请号：CN201711132423.9
申请日：2017-11-15
申请人： 上海华力微电子有限公司
CPC分类号： H01L21/67253 , C23C16/24 , C23C16/44
摘要： 本发明公开了一种实时监测多晶硅沉积工艺过程氧气浓度的装置，适用于炉管工艺多晶硅沉积机台，所述炉管工艺多晶硅沉积机台包括反应炉管、与所述反应炉管相连接的气体外出管路以及泵，其中，所述气体外出管路上设有支联装置，所述支联装置内设有氧气敏感器。本发明能够在第一时间有效地监测炉管机台反应炉管内部氧气浓度的变化情况，避免因反应炉管微漏气造成的晶圆器件失效而导致的报废。通过使用本发明能够节省机台维护保养复机时间约2h，提升机台产能，直接反应机台状况。
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公开(公告)号：CN108165953B
公开(公告)日：2020-06-30
申请号：CN201711419332.3
申请日：2017-12-25
申请人： 上海华力微电子有限公司
IPC分类号： C23C16/44
摘要： 本发明公开了一种改善HTO厚度稳定性的方法，在炉管HTO机台正常的工艺过程中，在累积膜厚达到一定数值时，通过自动运行新的循环清洁程式，该循环清洁程式采用高低温度/压力同时切换的方式，在高压高温条件下，利用蒸汽压的不同将含氯副产物转化成气态带出，达到有效去除的效果。本发明能够有效去除掉工艺腔体底部的副产物，保证机台成膜工艺的厚度稳定性。
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公开(公告)号：CN111270220A
公开(公告)日：2020-06-12
申请号：CN202010230106.6
申请日：2020-03-27
申请人： 上海华力微电子有限公司
IPC分类号： C23C16/455 , C23C16/458 , C23C16/52
摘要： 本发明提供了一种化学气相淀积装置，包括反应器及多个进气管，所述进气管的进气端位于所述反应器外并连接一供气设备，出气端位于所述反应器内且能够伸长或缩短，至少两个所述进气管的出气端在竖直方向上位于所述反应器的不同位置处。通过调整所述进气管的出气端在所述反应器内的位置以调整所述反应器内的反应气体的分布，降低反应器内各处的反应气体浓度差，从而使同一批次的晶圆上淀积的薄膜一致性更好。基于此，本发明还提供了一种所述化学气相淀积装置的调节方法，根据测试晶圆所处的位置及淀积的薄膜厚度绘制关系模型，并通过关系模型获取反应器内各处反应气体的浓度，然后精细化地调整进气管出气端的位置以降低反应气体的浓度差。
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公开(公告)号：CN118242897A
公开(公告)日：2024-06-25
申请号：CN202410353897.X
申请日：2024-03-26
申请人： 上海华力微电子有限公司
摘要： 本发明提供一种进气组件以及炉管，进气组件包括：进气管；进气管用于向炉体供气，进气管沿炉体的侧壁和顶壁延伸，进气管上设置有多个出气孔，进气管具有进气端，出气孔的孔径随着出气孔与进气端之间的距离的变化而变化。如此配置，本申请通过改变进气管的长度以及出气孔的孔径来实现分散气体的目的，以使得气体浓度分布更加均匀，膜厚均一性得到改善。
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公开(公告)号：CN117987800A
公开(公告)日：2024-05-07
申请号：CN202211347068.8
申请日：2022-10-31
申请人： 上海华力微电子有限公司
IPC分类号： C23C16/44
摘要： 本发明公开了一种低压炉管的吹扫清洁方法，包括：步骤一、提供处于空闲状态的低压炉管的工艺腔，工艺腔的内壁表面上积累有由炉管沉积工艺形成的内壁薄膜。步骤二、对工艺腔进行升温处理或降温处理，以在内壁薄膜中产生第一热应力并使内壁薄膜中黏附力低的薄膜颗粒剥离，第一热应力大于炉管沉积工艺中对内壁薄膜形成的第二热应力。步骤三、采用脉冲式通入清洁气体对工艺腔进行循环式吹扫清洁，以将剥离的薄膜颗粒带出工艺腔。步骤四、循环吹扫清洁结束后将工艺腔的状态切换到空闲状态。本发明能将工艺腔内部积累的内壁薄膜中黏附力差的薄膜颗粒都剥离，从而能防止黏附力差的薄膜颗粒在后续的炉管沉积工艺中产生剥离风险，最后能提高产品良率。
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公开(公告)号：CN115585742A
公开(公告)日：2023-01-10
申请号：CN202211215856.1
申请日：2022-09-30
申请人： 上海华力微电子有限公司
摘要： 本发明提出了一种光学线宽量测稳定性的优化方法。所述方法包括：光学线宽量测仪将两条长度不同的光纤固定在机台内，采用双光路量测方法经光程差测得所述待测晶圆的光学量测膜厚。双光路光学线宽量测方法当将长度确定的光纤固定在光学线宽量测仪机台内时，Fab内机台周围环境的震动等问题对其基本无影响，从而可以减少采用移动光纤方法校准存在的偶然性，消除了其易受周围环境震动等影响导致OCD量测再次偏移的问题，提高了晶圆的良率。而且双光路光学线宽量测方法所采用的公式能够实现高效校准，进而节省了Fab内的物力、财力，提高Fab过货效率。
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公开(公告)号：CN105845612A
公开(公告)日：2016-08-10
申请号：CN201610212582.9
申请日：2016-04-07
申请人： 上海华力微电子有限公司
IPC分类号： H01L21/677 , H01L21/687
CPC分类号： H01L21/687 , H01L21/67706
摘要： 一种机械手臂，具有连接臂和用于承载晶圆的晶圆承载夹持结构，并在所述机械手臂之连接臂处设置气体管路，且所述气体管路之出气口面向所述晶圆承载夹持结构的一侧。本发明通过在所述机械手臂之连接臂处设置气体管路，且所述气体管路之出气口面向所述晶圆承载夹持结构的一侧，并在待工艺处理之晶圆从晶圆传输盒至晶舟，或者从晶舟至晶圆传输盒的传输过程中，所述气体管路之出气口面向所述晶圆承载夹持结构喷吹洁净气体，以对所述机械手臂进行清洁，去除可能掉落在晶圆上的颗粒，从而达到减少颗粒缺陷的效果，提高产品良率。
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