- 专利标题： 二氟甲氧桥键低粘度巨电热效应的单体液晶及其制备方法
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申请号： CN201810074018.4申请日： 2018-01-25
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公开(公告)号： CN108192640A公开(公告)日： 2018-06-22
- 发明人: 苗宗成 , 赵玉真 , 张永明 , 赵阳 , 谢雪珂 , 尚宝强 , 郭锟
- 申请人： 西京学院
- 申请人地址： 陕西省西安市长安区西京路1号
- 专利权人： 西京学院
- 当前专利权人： 西京学院
- 当前专利权人地址： 陕西省西安市长安区西京路1号
- 代理机构： 西安智大知识产权代理事务所
- 代理商 贺建斌
- 主分类号： C09K19/30
- IPC分类号： C09K19/30 ; C07C41/30 ; C07C43/192 ; C07C253/30 ; C07C255/46 ; C07C331/26
摘要：
一种二氟甲氧桥键低粘度巨电热效应的单体液晶及其制备方法，单体液晶结构为：液晶具有巨电热效应，以二氟甲氧桥键代替炔键不仅可以有效降低单体液晶的粘度而且可以保持较高的介电各向异性，同时可在分子结构中进入环己基或酯基基团进一步降低液晶单体的粘度；若二氟甲氧桥键低粘度巨电热效应的单体液晶实现商品化，则可在很大程度上替代目前存在的蒸汽压缩制冷，节约能源，保护环境。
公开/授权文献
- CN108192640B 二氟甲氧桥键低粘度巨电热效应的单体液晶及其制备方法 公开/授权日：2021-05-28
