本发明公开了瞬态电压抑制器及其制造方法，瞬态电压抑制器包括：半导体衬底；外延层，设置于半导体衬底的第一表面之上；第一埋层和第二埋层，第一埋层的第一部分与第二埋层形成第一瞬态电压抑制管，第一埋层的第二部分与半导体衬底形成第二瞬态电压抑制管，第一埋层的第一部分和第二部分不互连；多个隔离区，分别从外延层表面延伸至第一埋层或第二埋层内；多个阱区，从外延层表面延伸至外延层内，其中，第一埋层的第一部分与半导体衬底形成PN结，且第一埋层的第一部分与半导体衬底电相连以使PN结被短路。本发明提供的瞬态电压抑制器具有双向瞬态电压抑制功能，电容低、体积小、制成简单，且能够从正反两面分别引出电极。