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公开(公告)号：CN107706229B
公开(公告)日：2024-04-09
申请号：CN201710775434.2
申请日：2017-08-31
申请人： 北京燕东微电子有限公司
IPC分类号： H01L29/06
摘要： 本发明公开了瞬态电压抑制器及其制造方法，瞬态电压抑制器包括：第一掺杂类型的半导体衬底；位于半导体衬底表面上的第一掺杂类型的第一外延层；位于外延层中的第二掺杂类型的埋层；位于第一外延层上的第一掺杂类型的第二外延层；分别从第二外延层表面延伸至埋层中和第二外延层中的第二掺杂类型的第一隔离区和第一掺杂类型的第二隔离区，第一隔离区和第二隔离区分别用于在第二外延层中形成多个第一隔离岛和多个第二隔离岛；分别位于各个第一隔离岛和各个第二隔离岛中从外延层表面延伸至第二外延层中的第一掺杂类型的第一掺杂区和第二掺杂类型的第二掺杂区，各个第一掺杂区分别与对应的第二掺杂区之间电性连接以形成多个信号通道。
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公开(公告)号：CN108198813B
公开(公告)日：2023-05-16
申请号：CN201810146821.4
申请日：2018-02-12
申请人： 北京燕东微电子有限公司
IPC分类号： H01L27/02
摘要： 本发明公开了瞬态电压抑制器及其制造方法，瞬态电压抑制器包括：半导体衬底及其第一表面上的第二外延层；第一埋层，向半导体衬底内延伸；第二埋层，第一部分向半导体衬底内延伸、第二部分向第一埋层内延伸；第一隔离区，向第二外延层内延伸以限定第一隔离岛和第二隔离岛；第二隔离区，向第二外延层内延伸，第一部分在第一隔离岛内限定第三隔离岛，第二部分与第二埋层的第一部分相连；第一阱区，一部分向第三隔离岛内延伸、另一部分通过第一隔离区与第一埋层相连；延伸至第二隔离岛内的第二阱区，与第一阱区的第一部分电相连。本发明提供的瞬态电压抑制器具有双向瞬态电压抑制功能，电容低、体积小、制成简单，且能够从正反两面分别引出电极。
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公开(公告)号：CN107293533A
公开(公告)日：2017-10-24
申请号：CN201710600903.7
申请日：2017-07-21
申请人： 北京燕东微电子有限公司
CPC分类号： H01L23/60 , H01L27/0248
摘要： 本发明公开了一种瞬态电压抑制器及其制造方法，该瞬态电压抑制器包括半导体衬底；位于所述半导体衬底第一表面上的外延层；隔离区，从所述外延层的表面穿过所述外延层延伸至所述半导体衬底中，用于在所述外延层中限定第一隔离岛和第二隔离岛；掺杂区，分别在所述第一隔离岛和第二隔离岛中从所述外延层的表面延伸至所述外延层中；第一电极，用于将各所述掺杂区彼此电连接；以及第二电极，用于将所述隔离区和所述外延层位于所述第二隔离岛的部分彼此电连接。该瞬态电压抑制器通过将并联的两个纵向NPN结构中的一个通过金属电极短路成PN结构，使其成为单向低箝位电压的瞬态电压抑制器，有利于减小芯片尺寸和降低封装成本。
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公开(公告)号：CN107527907B
公开(公告)日：2024-04-09
申请号：CN201710775435.7
申请日：2017-08-31
申请人： 北京燕东微电子有限公司
IPC分类号： H01L27/02 , H01L29/861 , H01L21/329
摘要： 本发明公开了一种瞬态电压抑制器及其制造方法，该瞬态电压抑制器包括半导体衬底；位于所述半导体衬底第一表面上的第一外延层；位于外延层中的埋层；位于第一外延层上的第二外延层；分别从第二外延层表面延伸至埋层中和第二外延层中的第一隔离区和第二隔离区，第一隔离区和第二隔离区分别用于在第二外延层中形成第一有源区和第二有源区；以及分别位于第一有源区和第二有源区中从外延层表面延伸至第二外延层中的第一掺杂区和第二掺杂区，其中，第一掺杂区和第二掺杂区之间电性连接，衬底和外延层掺杂类型相同。该瞬态电压抑制器将占据面积较大的功率器件制作在芯片内部，提高了芯片面积利用率和集成度，进一步压缩了芯片尺寸，降低了封装成本。
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公开(公告)号：CN108198810A
公开(公告)日：2018-06-22
申请号：CN201711423175.3
申请日：2017-12-25
申请人： 北京燕东微电子有限公司
IPC分类号： H01L27/02
摘要： 本发明公开了瞬态电压抑制器及其制造方法，瞬态电压抑制器包括：第一掺杂类型的半导体衬底；第一掺杂类型的第一外延层；第一掺杂类型的第二外延层，设置于半导体衬底的第一表面之上以覆盖第一外延层；多个第一掺杂区，形成于半导体衬底内；多个第二掺杂区，各个第二掺杂区形成于第二外延层内或穿过第二外延层与对应的第一掺杂区相连，多个第一掺杂区、多个第二掺杂区、半导体衬底以及第二外延层用于形成双向抑制电路，双向抑制电路包括第一整流二极管、第二整流二极管、第一瞬态抑制二极管和第二瞬态抑制二极管。本发明提供的瞬态电压抑制器具有双向瞬态电压抑制功能，电容低、体积小、制成简单，且能够从正反两面分别引出电极。
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公开(公告)号：CN107301998A
公开(公告)日：2017-10-27
申请号：CN201710602270.3
申请日：2017-07-21
申请人： 北京燕东微电子有限公司
IPC分类号： H01L27/02 , H01L29/866 , H01L21/329
CPC分类号： H01L27/0255 , H01L29/66106 , H01L29/866
摘要： 本发明公开了一种瞬态电压抑制器及其制造方法，该瞬态电压抑制器包括第一掺杂类型的半导体衬底；第二掺杂类型的埋层；位于所述半导体衬底上的第二掺杂类型的外延层；位于所述外延层中的第一掺杂类型的第一掺杂区；以及从所述第一掺杂区纵向穿过所述外延层延伸至所述埋层中的第二掺杂类型的第二掺杂区，其中，所述第一掺杂区的横截面积不小于所述第二掺杂区的横截面积，且二者的界面位于所述第一掺杂区的下表面。由于用内部击穿取代了表面击穿，且采用了重掺杂半导体衬底和轻掺杂反型外延层，本发明实施例提供的瞬态电压抑制器具有更好的可靠性和可拓展性。
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公开(公告)号：CN107301996B
公开(公告)日：2023-11-28
申请号：CN201710600911.1
申请日：2017-07-21
申请人： 北京燕东微电子有限公司
IPC分类号： H01L27/02 , H01L29/861 , H01L21/329
摘要： 本发明公开了一种瞬态电压抑制器及其制造方法，该瞬态电压抑制器包括半导体衬底；位于所述半导体衬底第一表面上的外延层；隔离区，从所述外延层的表面穿过所述外延层延伸至所述半导体衬底中，用于在所述外延层中限定第一隔离岛和第二隔离岛；掺杂区，分别在所述第一隔离岛和第二隔离岛中从所述外延层的表面延伸至所述外延层中；第一电极，用于将各所述掺杂区彼此电连接；以及导电通道，在所述第二隔离岛中从所述外延层的表面延伸至所述半导体衬底中。该瞬态电压抑制器通过将并联的两个纵向NPN结构中的一个通过导电通道短路成PN结构，使其成为单向低箝位电压的瞬态电压抑制器，有利于减小芯片尺寸和降低封装成本。
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公开(公告)号：CN108198811A
公开(公告)日：2018-06-22
申请号：CN201810146592.6
申请日：2018-02-12
申请人： 北京燕东微电子有限公司
IPC分类号： H01L27/02
摘要： 本发明公开了瞬态电压抑制器及其制造方法，瞬态电压抑制器包括：半导体衬底；外延层，设置于半导体衬底的第一表面之上；第一埋层和第二埋层，第一埋层的第一部分与第二埋层形成第一瞬态电压抑制管，第一埋层的第二部分与半导体衬底形成第二瞬态电压抑制管，第一埋层的第一部分和第二部分不互连；多个隔离区，分别从外延层表面延伸至第一埋层或第二埋层内；多个阱区，从外延层表面延伸至外延层内，其中，第一埋层的第一部分与半导体衬底形成PN结，且第一埋层的第一部分与半导体衬底电相连以使PN结被短路。本发明提供的瞬态电压抑制器具有双向瞬态电压抑制功能，电容低、体积小、制成简单，且能够从正反两面分别引出电极。
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公开(公告)号：CN107706229A
公开(公告)日：2018-02-16
申请号：CN201710775434.2
申请日：2017-08-31
申请人： 北京燕东微电子有限公司
IPC分类号： H01L29/06
CPC分类号： H01L29/0603 , H01L23/62 , H01L29/0615 , H01L29/0684
摘要： 本发明公开了瞬态电压抑制器及其制造方法，瞬态电压抑制器包括：第一掺杂类型的半导体衬底；位于半导体衬底表面上的第一掺杂类型的第一外延层；位于外延层中的第二掺杂类型的埋层；位于第一外延层上的第一掺杂类型的第二外延层；分别从第二外延层表面延伸至埋层中和第二外延层中的第二掺杂类型的第一隔离区和第一掺杂类型的第二隔离区，第一隔离区和第二隔离区分别用于在第二外延层中形成多个第一隔离岛和多个第二隔离岛；分别位于各个第一隔离岛和各个第二隔离岛中从外延层表面延伸至第二外延层中的第一掺杂类型的第一掺杂区和第二掺杂类型的第二掺杂区，各个第一掺杂区分别与对应的第二掺杂区之间电性连接以形成多个信号通道。
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公开(公告)号：CN107527907A
公开(公告)日：2017-12-29
申请号：CN201710775435.7
申请日：2017-08-31
申请人： 北京燕东微电子有限公司
IPC分类号： H01L27/02 , H01L29/861 , H01L21/329
CPC分类号： H01L27/0255 , H01L29/6609 , H01L29/861
摘要： 本发明公开了一种瞬态电压抑制器及其制造方法，该瞬态电压抑制器包括半导体衬底；位于所述半导体衬底第一表面上的第一外延层；位于外延层中的埋层；位于第一外延层上的第二外延层；分别从第二外延层表面延伸至埋层中和第二外延层中的第一隔离区和第二隔离区，第一隔离区和第二隔离区分别用于在第二外延层中形成第一有源区和第二有源区；以及分别位于第一有源区和第二有源区中从外延层表面延伸至第二外延层中的第一掺杂区和第二掺杂区，其中，第一掺杂区和第二掺杂区之间电性连接，衬底和外延层掺杂类型相同。该瞬态电压抑制器将占据面积较大的功率器件制作在芯片内部，提高了芯片面积利用率和集成度，进一步压缩了芯片尺寸，降低了封装成本。
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