发明授权
- 专利标题: 太阳能电池及其制作方法
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申请号: CN201810003282.9申请日: 2018-01-03
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公开(公告)号: CN108198891B公开(公告)日: 2019-05-10
- 发明人: 林志伟 , 陈凯轩 , 姜伟 , 吴真龙 , 张双翔
- 申请人: 厦门乾照光电股份有限公司
- 申请人地址: 福建省厦门市火炬高新区(翔安)产业区翔天路259-269号
- 专利权人: 厦门乾照光电股份有限公司
- 当前专利权人: 厦门乾照光电股份有限公司
- 当前专利权人地址: 福建省厦门市火炬高新区(翔安)产业区翔天路259-269号
- 代理机构: 厦门创象知识产权代理有限公司
- 代理商 尤怀成; 廖吉保
- 主分类号: H01L31/054
- IPC分类号: H01L31/054 ; H01L31/06 ; H01L31/18
摘要:
本发明公开太阳能电池,包括Ge底电池,生长于Ge底电池之上的下隧穿结,生长于下隧穿结之上的InGaAs中电池,生长于InGaAs中电池之上的上隧穿结,生长于上隧穿结之上的GaInP顶电池,以及生长于GaInP顶电池之上的欧姆接触层,欧姆接触层吸收垂直入射光线;InGaAs中电池包括中电池发射区、上中电池基区和下中电池基区,上中电池基区之上生长中电池发射区,中电池发射区之上生长上隧穿结,上中电池基区与下中电池基区之间生长上波导层,下中电池基区与下隧穿结之间生长下波导层。本发明还公开太阳能电池制作方法。本发明提供不同结构的太阳能电池,同时提升电池转换效率。
公开/授权文献
- CN108198891A 太阳能电池及其制作方法 公开/授权日:2018-06-22