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公开(公告)号：CN102593274B
公开(公告)日：2014-07-30
申请号：CN201110132001.8
申请日：2011-05-20
申请人： 厦门乾照光电股份有限公司
摘要： 本发明公开一种脉冲气流法生长GaP电流扩展层的方法，在生长GaP电流扩展层时，向金属有机化学气相沉积系统的反应室中，脉冲式交替通入含有镓原子的MO源、磷烷和掺杂源，或者保持磷烷的流量不变，脉冲式通入含镓的MO源和掺杂源。该方法可以增加镓原子和磷原子在外延层表面的迁移时间，使其充分覆盖外延层表面，从而得到高质量的GaP电流扩展层。
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公开(公告)号：CN102299224A
公开(公告)日：2011-12-28
申请号：CN201110273702.3
申请日：2011-09-15
申请人： 厦门乾照光电股份有限公司
IPC分类号： H01L33/10
摘要： 本发明公开一种发光二极管，提供一衬底，在衬底的下表面具有第一电极，在衬底的上表面依次有分布布拉格反射层、第一型外延层、有源层、第二型外延层、电流扩展层，第二电极形成于电流扩展层之上；分布布拉格反射层是由N(1≤N≤100)对高折射率和低折射率的反射层依次周期性叠加而成，每一层高折射率反射层或每一层低折射率反射层的内部包含一个折射率渐变层。本发明使得分布布拉格反射层的反射率和反射带宽得到提高，从而提高发光二极管的光提取效率。
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公开(公告)号：CN101388419B
公开(公告)日：2010-08-18
申请号：CN200810072025.7
申请日：2008-10-27
申请人： 厦门乾照光电股份有限公司
IPC分类号： H01L31/052 , H01L31/0232 , H01L31/18
CPC分类号： Y02E10/50 , Y02P70/521
摘要： 本发明公开一种具有反射层的三结太阳电池及其制造方法。在P-Ge衬底上生长形成包含两套布拉格反射层(DBR)的三结太阳电池的半导体材料层；两套布拉格反射层(DBR)是一套用于反射短波光子的铝铟磷AlInP/铝镓铟磷AlGaInP顶电池反射层和一套用于反射中波光子的砷化铝AlAs/铝镓砷AlGaAs中电池反射层。此结构可以减少电池的厚度，减小非平衡载流子的自由程，提高光电转换效率。
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公开(公告)号：CN108198891B
公开(公告)日：2019-05-10
申请号：CN201810003282.9
申请日：2018-01-03
申请人： 厦门乾照光电股份有限公司
IPC分类号： H01L31/054 , H01L31/06 , H01L31/18
摘要： 本发明公开太阳能电池，包括Ge底电池，生长于Ge底电池之上的下隧穿结，生长于下隧穿结之上的InGaAs中电池，生长于InGaAs中电池之上的上隧穿结，生长于上隧穿结之上的GaInP顶电池，以及生长于GaInP顶电池之上的欧姆接触层，欧姆接触层吸收垂直入射光线；InGaAs中电池包括中电池发射区、上中电池基区和下中电池基区，上中电池基区之上生长中电池发射区，中电池发射区之上生长上隧穿结，上中电池基区与下中电池基区之间生长上波导层，下中电池基区与下隧穿结之间生长下波导层。本发明还公开太阳能电池制作方法。本发明提供不同结构的太阳能电池，同时提升电池转换效率。
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公开(公告)号：CN102208472A
公开(公告)日：2011-10-05
申请号：CN201110132005.6
申请日：2011-05-20
申请人： 厦门乾照光电股份有限公司
IPC分类号： H01L31/052 , H01L31/18
CPC分类号： Y02E10/50 , Y02P70/521
摘要： 本发明公开一种高聚光倍数太阳能电池的散热器，由铜薄层、银铜钛合金层、金刚石膜、银铜钛合金层和铜底座组成，在聚光太阳能电池底下形成铜薄层，铜薄层下面形成银铜钛合金层，此铜薄层和银铜钛合金层上形成绝缘通道，银铜钛合金层下面形成金刚石膜，金刚石膜下面再形成银铜钛合金层，银铜钛合金层下面形成铜底座，铜底座中形成冷却水通道。本发明还公开了该散热器的制造方法。本发明的散热器能应用在聚光倍数1600倍以上的聚光太阳能电池上，整体热导率高达400W/(m·K)以上，散热效果优于热导率为280W/(m·K)的Al2O3陶瓷散热器，具有更高效的散热作用，使得聚光太阳能电池能在较高的聚光倍数下稳定工作且减少光电转换效率的下降。
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公开(公告)号：CN101397693B
公开(公告)日：2011-09-28
申请号：CN200810072030.8
申请日：2008-10-28
申请人： 厦门乾照光电股份有限公司
摘要： 本发明公开一种生长高质量单晶氮化铟薄膜的方法，先在硅衬底上利用MOCVD(金属有机化学气相沉积)技术生长一层AlN缓冲层，然后继续利用MOCVD技术生长InN单晶外延，并在InN单晶外延的生长过程中，通入四氯化碳CCl4。此方法可以提高InN单晶外延的晶体质量。
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公开(公告)号：CN107482090B
公开(公告)日：2019-04-19
申请号：CN201710719752.7
申请日：2017-08-21
申请人： 厦门乾照光电股份有限公司
摘要： 本申请提供一种发光二极管及其制作方法，在临时衬底上依次外延第一缓冲层、切割剥离层和基板层，后续再制作发光二极管外延结构层，通过制作切割道，所述切割道至少贯穿基板层，最后再去除切割剥离层，从而将发光二极管芯片切割分离为多个独立的发光二极管结构。也即本发明中采用切割剥离层与制作切割道结合，可以使用薄刀制作或者ICP工艺制作较窄的切割道，结合切割剥离层的剥离，使得发光二极管被切割为多个独立芯片，从而代替现有技术中，激光切割和切割刀结合的方式，或者薄厚刀相结合的方式，从而能够有效避免采用激光切割烧蚀对外延材料的损伤，也能够避免采用厚刀切割造成的发光面积减少的问题。
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公开(公告)号：CN108198891A
公开(公告)日：2018-06-22
申请号：CN201810003282.9
申请日：2018-01-03
申请人： 厦门乾照光电股份有限公司
IPC分类号： H01L31/054 , H01L31/06 , H01L31/18
CPC分类号： Y02E10/52 , Y02P70/521 , H01L31/054 , H01L31/06 , H01L31/18
摘要： 本发明公开太阳能电池，包括Ge底电池，生长于Ge底电池之上的下隧穿结，生长于下隧穿结之上的InGaAs中电池，生长于InGaAs中电池之上的上隧穿结，生长于上隧穿结之上的GaInP顶电池，以及生长于GaInP顶电池之上的欧姆接触层，欧姆接触层吸收垂直入射光线；InGaAs中电池包括中电池发射区、上中电池基区和下中电池基区，上中电池基区之上生长中电池发射区，中电池发射区之上生长上隧穿结，上中电池基区与下中电池基区之间生长上波导层，下中电池基区与下隧穿结之间生长下波导层。本发明还公开太阳能电池制作方法。本发明提供不同结构的太阳能电池，同时提升电池转换效率。
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公开(公告)号：CN101388430B
公开(公告)日：2010-06-09
申请号：CN200810072027.6
申请日：2008-10-27
申请人： 厦门乾照光电股份有限公司
IPC分类号： H01L33/00
摘要： 本发明公开一种改良电流扩展层结构的高效发光二极管及其制造方法。N-GaAs衬底上外延的材料自下而上依次包括n-GaAs缓冲层、AlAs/AlxGa1-xAs或AlInP/(AlxGa1-x)yIn1-yP布拉格反射层、n-(AlxGa1-x)yIn1-yP下限制层、Undoped-(AlxGa1-x)yIn1-yP有源区、p-(AlxGa1-x)yIn1-yP上限制层、p++AlxGa1-xAs和p-GaP组合电流扩展层，p++Al xGa1-xAs在下面为第一电流扩展层，p-GaP在上面为第二电流扩展层。此结构集GaP和AlxGa1-xAs材料的优点于一体，避免材料的氧化，保证电流扩展和器件的可靠性、稳定性。
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公开(公告)号：CN107482090A
公开(公告)日：2017-12-15
申请号：CN201710719752.7
申请日：2017-08-21
申请人： 厦门乾照光电股份有限公司
CPC分类号： H01L33/005 , H01L21/78
摘要： 本申请提供一种发光二极管及其制作方法，在临时衬底上依次外延第一缓冲层、切割剥离层和基板层，后续再制作发光二极管外延结构层，通过制作切割道，所述切割道至少贯穿基板层，最后再去除切割剥离层，从而将发光二极管芯片切割分离为多个独立的发光二极管结构。也即本发明中采用切割剥离层与制作切割道结合，可以使用薄刀制作或者ICP工艺制作较窄的切割道，结合切割剥离层的剥离，使得发光二极管被切割为多个独立芯片，从而代替现有技术中，激光切割和切割刀结合的方式，或者薄厚刀相结合的方式，从而能够有效避免采用激光切割烧蚀对外延材料的损伤，也能够避免采用厚刀切割造成的发光面积减少的问题。
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