- 专利标题: 纳米结构氧化亚铜光电转换薄膜及其制备方法和应用
- 专利标题(英): Nanometer structure cuprous oxide photoelectric conversion thin film as well as preparation method and application thereof
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申请号: CN201810170888.1申请日: 2018-03-01
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公开(公告)号: CN108264242A公开(公告)日: 2018-07-10
- 发明人: 徐伟 , 夏鹏 , 张辉 , 甘营
- 申请人: 复旦大学
- 申请人地址: 上海市杨浦区邯郸路220号
- 专利权人: 复旦大学
- 当前专利权人: 复旦大学
- 当前专利权人地址: 上海市杨浦区邯郸路220号
- 代理机构: 上海正旦专利代理有限公司
- 代理商 陆飞; 陆尤
- 主分类号: C03C17/34
- IPC分类号: C03C17/34 ; C01G49/02 ; H01L31/18 ; H01L31/032 ; H01L31/0352 ; B82Y40/00 ; B82Y30/00
摘要:
本发明属于光电功能材料技术领域,具体为氧化物掺杂的纳米结构氧化亚铜光电转换薄膜及其制备方法和应用。本发明以氧化亚铜纳米线薄膜为主体,在表面上涂布羟基氧化铁纳米颗粒,热退火下通过界面反应,获得氧化物掺杂的纳米结构氧化亚铜薄膜;该薄膜作为太阳能电池的光电转换薄膜,可极大提高光电转换效率,提升氧化亚铜太阳能电池的性能。
公开/授权文献
- CN108264242B 纳米结构氧化亚铜光电转换薄膜及其制备方法和应用 公开/授权日:2021-06-22