发明公开
- 专利标题: 磁环境中的物理设计
- 专利标题(英): PHYSICAL DESIGN IN MAGNETIC ENVIRONMENT
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申请号: CN201711499017.6申请日: 2017-12-29
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公开(公告)号: CN108269799A公开(公告)日: 2018-07-10
- 发明人: 阿龙·J·卡菲 , 布里安·G·德罗斯特
- 申请人: 硅谷实验室公司
- 申请人地址: 美国德克萨斯州
- 专利权人: 硅谷实验室公司
- 当前专利权人: 硅谷实验室公司
- 当前专利权人地址: 美国德克萨斯州
- 代理机构: 中科专利商标代理有限责任公司
- 代理商 吴晓兵
- 优先权: 15/398,241 2017.01.04 US
- 主分类号: H01L27/01
- IPC分类号: H01L27/01 ; H01L49/02 ; H01L23/552 ; H01L21/70
摘要:
一种用于形成包括电感器的集成电路的技术,该技术减小了电感器和周围的元件之间的磁耦合。该技术包括将电路元件(例如,端子、销、路由迹线)相对于与电感器相关的磁矢量电势、并且相对于与电感器相关的磁通量密度场而特意放置在集成电路上的位置中,以减小或者消除使得系统性能降级的感应信号。
公开/授权文献
- CN108269799B 磁环境中的物理设计 公开/授权日:2023-05-02
IPC分类: