Invention Grant
- Patent Title: 一种Ag/Cu2O异质结纳米薄膜的制备方法
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Application No.: CN201810148539.XApplication Date: 2018-02-13
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Publication No.: CN108336187BPublication Date: 2019-11-26
- Inventor: 伍泳斌 , 钟福新 , 高云鹏 , 黎燕 , 莫德清
- Applicant: 桂林理工大学
- Applicant Address: 广西壮族自治区桂林市七星区建干路12号
- Assignee: 桂林理工大学
- Current Assignee: 桂林理工大学
- Current Assignee Address: 广西壮族自治区桂林市七星区建干路12号
- Main IPC: H01L31/18
- IPC: H01L31/18 ; H01L31/07 ; B82Y40/00
Abstract:
本发明公开了一种Ag/Cu2O异质结纳米薄膜的制备方法。将纯Cu片和浓度为0.01~0.10mol/L Cu(NO3)2溶液,于80℃~90℃下反应4~6小时,在Cu片上制得光电压值为0.0937V~0.3168V的Cu2O薄膜;在Cu2O薄膜中加入浓度为0.05~0.09mol/L的Cu(NO3)2溶液和浓度为0.0005~0.0025mol/L的AgNO3溶液,于烘箱内反应2~8小时;得光电压值为0.3273V~0.3853V的Ag/Cu2O异质结纳米薄膜。本发明工艺简单,周期较短,对原料以及设备要求不高,制得的异质结纳米薄膜更有利于被太阳光激发而产生光生电子,具有优良的光电性能。
Public/Granted literature
- CN108336187A 一种Ag/Cu2O异质结纳米薄膜的制备方法 Public/Granted day:2018-07-27
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