一种Ag/Cu2O异质结纳米薄膜的制备方法
Abstract:
本发明公开了一种Ag/Cu2O异质结纳米薄膜的制备方法。将纯Cu片和浓度为0.01~0.10mol/L Cu(NO3)2溶液,于80℃~90℃下反应4~6小时,在Cu片上制得光电压值为0.0937V~0.3168V的Cu2O薄膜;在Cu2O薄膜中加入浓度为0.05~0.09mol/L的Cu(NO3)2溶液和浓度为0.0005~0.0025mol/L的AgNO3溶液,于烘箱内反应2~8小时;得光电压值为0.3273V~0.3853V的Ag/Cu2O异质结纳米薄膜。本发明工艺简单,周期较短,对原料以及设备要求不高,制得的异质结纳米薄膜更有利于被太阳光激发而产生光生电子,具有优良的光电性能。
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