发明公开
- 专利标题: 存储器件、存储器件的制备方法及电子设备
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申请号: CN201810184734.8申请日: 2018-03-06
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公开(公告)号: CN108336223A公开(公告)日: 2018-07-27
- 发明人: 张雨 , 赵巍胜 , 林晓阳 , 康旺 , 张有光
- 申请人: 北京航空航天大学青岛研究院
- 申请人地址: 山东省青岛市崂山区松岭路393号
- 专利权人: 北京航空航天大学青岛研究院
- 当前专利权人: 北京航空航天大学青岛研究院
- 当前专利权人地址: 山东省青岛市崂山区松岭路393号
- 代理机构: 北京太合九思知识产权代理有限公司
- 代理商 刘戈
- 优先权: 201711296409.2 2017.12.08 CN
- 主分类号: H01L43/08
- IPC分类号: H01L43/08 ; H01L43/12 ; H01L45/00
摘要:
本发明实施例提供了一种存储器件、存储器件的制备方法及电子设备。该存储器件包括:阻变材料、依次层叠的第一导电层、磁性隧道结以及第二导电层;阻变材料位于第一导电层和第二导电层之间;阻变材料贴合在磁性隧道结的边缘处,以包裹磁性隧道结;磁性隧道结包括:依次层叠的磁性固定层、势垒层以及磁性自由层;阻变材料中靠近磁性隧道结的区域内形成有导电通道,导电通道的两端分别连接在磁性固定层和磁性自由层上。本发明实施例提供的存储器件在电学结构上可等效为磁性存储器单元和阻抗存储器单元的并联,具有读写速度快、无限次读写操作以及高开关比率等优点。
公开/授权文献
- CN108336223B 存储器件、存储器件的制备方法及电子设备 公开/授权日:2024-03-22
IPC分类: