公开(公告)号：CN115498058A

公开(公告)日：2022-12-20

申请号：CN202211029841.6

申请日：2022-08-25

申请人： 电子科技大学长三角研究院(湖州)

发明人： 刘富才 ,  李长存 ,  刘庆 ,  周雷

IPC分类号： H01L31/09 ,  H01L31/032 ,  H01L31/18 ,  H01L43/08 ,  H01L43/10 ,  H01L43/12

摘要： 本发明公开了一种基于二维磁性材料的宽波段光电探测器及其制备方法，以二氧化硅为支撑衬底，二维磁性单晶薄膜为沟道层，金属电极为电极层，hBN为封装层制备得到，其中二维磁性单晶薄膜由二维磁性单晶材料经机械剥离后制得；宽波段光电探测器的可见光区响应时间为121.7ms，响应度为26.1A/W。本发明通过探索二维磁性材料的磁性和光电特性之间的相互作用，在开发先进的自旋‑光电器件应用方面具有巨大的潜能。

公开(公告)号：CN115483247A

公开(公告)日：2022-12-16

申请号：CN202110598899.1

申请日：2021-05-31

申请人： 长鑫存储技术有限公司

发明人： 肖德元 ,  王晓光 ,  平尔萱

IPC分类号： H01L27/22 ,  H01L43/12 ,  H01L43/08

摘要： 本发明提供一种半导体结构及其制备方法，其能够在衬底内形成埋入式位线，并形成垂直晶体管及位于所述垂直晶体管上的磁隧道结单元，大大改善了现有的半导体结构的性能，满足小型化的需求。

公开(公告)号：CN114429968B

公开(公告)日：2022-12-13

申请号：CN202210089191.8

申请日：2022-01-25

申请人： 上海积塔半导体有限公司

发明人： 刘金营

IPC分类号： H01L27/22 ,  H01L43/08 ,  H01L43/10 ,  H01L43/12

摘要： 本发明提供一种垂直双层磁性随机存储器及其制备方法，垂直双层磁性随机存储器包括衬底、第一导电结构、第二导电结构、第三导电结构、磁性隧道结、第四导电结构及第五导电结构；本发明的垂直双层磁性随机存储器，由STT‑MRAM和SOT‑MRAM上下堆叠组合而成，可改变上下器件的电阻，以存储四种信号，垂直双层磁性随机存储器可在相同占地面积或者更少的占地面积下，存储双倍的信息，其有助于提高存储器件的密度，扩大垂直双层磁性随机存储器的应用。

公开(公告)号：CN115436850A

公开(公告)日：2022-12-06

申请号：CN202211176707.9

申请日：2022-09-26

申请人： 南京工业大学

发明人： 穆宜敏 ,  王晓荣 ,  朱文俊 ,  张梦怡 ,  张卿

IPC分类号： G01R33/09 ,  G01R33/00 ,  H01L43/08 ,  H01L43/12

摘要： 本发明提供了一种表面图形磁性薄膜巨磁阻抗磁传感器，包括绝缘基底、两个电极和表面图形磁性薄膜；所述表面图形磁性薄膜包括表面光滑磁性薄膜和多个条栅图案磁性薄膜；表面光滑磁性薄膜设置在基底的顶部；多个条栅图案磁性薄膜等间距地排列在表面光滑磁性薄膜的顶部；表面光滑磁性薄膜和单个条栅图案磁性薄膜均为矩形；条栅图案磁性薄膜的长边垂直于表面光滑磁性薄膜的长边；两个电极对称地连接在表面光滑磁性薄膜的两个宽边上。本发明不仅削弱了表面图形磁性薄膜宽度方向的退磁效应，还利用了上层条栅图案磁性薄膜的形状各向异性，可显著增强表面图形磁性薄膜的巨磁阻抗效应，实现高灵敏度的磁场检测。

公开(公告)号：CN111009462B

公开(公告)日：2022-11-15

申请号：CN201911302722.1

申请日：2019-12-17

申请人： 中国科学院微电子研究所

发明人： 高建峰 ,  李俊杰 ,  刘卫兵 ,  李俊峰 ,  王文武

IPC分类号： H01L21/033 ,  H01L43/12

摘要： 本发明公开了一种钽掩模的制备方法，属于微电子制造技术领域，解决了现有技术中制备65nm或更小尺寸的MTJ单元需要配合较薄的钽硬掩模层，但钽膜层需要有足够的厚度来完成MTJ的完全刻蚀的矛盾，以及实际MTJ尺寸大于光刻尺寸的问题。一种钽掩模的制备方法，包括以下步骤：步骤1.在基体上依次形成钽掩模、SOC和SOG；步骤2.将图案通过光刻工艺转移到SOG的顶部；步骤3.刻蚀SOG；步骤4.刻蚀SOC；步骤5.去除SOG；步骤6.利用SOC做掩模刻蚀钽掩模。本发明满足小尺寸MTJ单元的制备。

公开(公告)号：CN111081868B

公开(公告)日：2022-11-11

申请号：CN201911197149.2

申请日：2019-11-29

申请人： 深圳市立洋光电子股份有限公司

发明人： 秦胜妍 ,  屈军毅

IPC分类号： H01L43/08 ,  H01L43/10 ,  H01L43/12

摘要： 本发明涉及一种铁磁性半金属晶体及其制备方法、以及该铁磁性半金属晶体的应用。铁磁性半金属晶体的化学式如下：CuxZrySe2，其中，0.02≤x≤0.1，0.9≤y≤0.98，0.975≤x+y≤1。上述铁磁性半金属晶体通过ZrSe2中掺杂Cu得到，其化学式为：CuxZrySe2。通过分别对ZrSe2和CuxZrySe2进行磁性测量表明，ZrSe2为抗磁性半导体，CuxZrySe2为垂直磁场的铁磁性半金属。也就是说，通过在ZrSe2中掺杂Cu，成功的将ZrSe2由抗磁性变为铁磁性。

公开(公告)号：CN112164706B

公开(公告)日：2022-11-08

申请号：CN202011000266.8

申请日：2020-09-21

申请人： 上海磁宇信息科技有限公司

发明人： 戴瑾 ,  郭一民

IPC分类号： H01L27/22 ,  H01L43/08 ,  H01L43/12 ,  H01L23/64 ,  G11C11/16

摘要： 本申请提供一种磁性存储器及其制作方法。所述磁性存储器包括至少一个存储单元，其包括：金属层，具有自旋霍尔效应材料；磁性隧道结器件，设置于所述金属层上并连接至位线，所述磁性隧道结器件的自由层连接所述金属层；电阻器件，设置于所述金属层上并连接至位线，与所述磁性隧道结器件形成并联；开关晶体管，电性连接于源极线与所述金属层之间，所述开关晶体管的控制端连接字线。此结构能减少过孔与位线的设置需求，缩小存储单元设置面积，通过调整电阻器件的阻值，得以让读/写操作衍生的负面效应变成可控。

公开(公告)号：CN110085737B

公开(公告)日：2022-11-08

申请号：CN201810076594.2

申请日：2018-01-26

申请人： 联华电子股份有限公司

发明人： 林宏展 ,  王裕平 ,  陈宏岳

IPC分类号： H01L43/08 ,  H01L43/12 ,  H01L27/22

摘要： 本发明公开一种磁阻式随机存取存储器及其制作方法，其中该磁阻式随机存取存储器包含一导电插塞位于基底内，其中该导电插塞的上缘一侧具有向外延伸的凸出部位，该上缘的另一侧具有向内凹入的凹陷部位；以及一存储单元，其包含一下电极与该导电插塞电连接、一磁隧穿接面位于该下电极上、以及一上电极位于该磁隧穿接面上，其中该存储单元的底面与该导电插塞的顶面完全重叠。

公开(公告)号：CN109935684B

公开(公告)日：2022-11-08

申请号：CN201711377375.X

申请日：2017-12-19

申请人： 上海磁宇信息科技有限公司

发明人： 张云森

IPC分类号： H01L43/12 ,  H01L27/22

摘要： 本发明提供了一种制作超小型高密度磁性随机存储器单元阵列的方法，通过在磁性隧道结多层膜和硬掩模层之间添加一层缓冲膜层，并在缓冲膜层侧壁留下收集溅射副产物的凹槽，从而使刻蚀副产物尽量少的到达磁性隧道结的底部。该方法包括如下步骤：步骤一、提供CMOS基底，并在基底上沉积底电极层、磁性隧道结多层膜、缓冲膜层和硬掩模层；步骤二、图形化定义磁性隧道结图案，转移图案到缓冲膜层的顶部；步骤三、刻蚀缓冲膜层，并对缓冲膜层的侧壁进行过刻蚀；步骤四、对磁性隧道结多层膜和底电极层进行刻蚀。采用这种结构，增加了刻蚀/沉积速率比，非常有利于磁性隧道的小型化和进行高密度磁性随机存储器阵列的制作。

公开(公告)号：CN109935681B

公开(公告)日：2022-11-08

申请号：CN201711375256.0

申请日：2017-12-19

申请人： 上海磁宇信息科技有限公司

发明人： 张云森

IPC分类号： H01L43/08 ,  H01L43/12 ,  H01L27/22

摘要： 本发明提供了一种制备磁性隧道结阵列的方法，包括如下步骤：步骤一、提供CMOS基底，并在基底上沉积底电极层、磁性隧道结多层膜和硬掩模层；步骤二、图形化定义磁性隧道结图案，并转移图案到磁性隧道结多层膜的顶部；步骤三、对磁性隧道结多层膜和硬掩膜边缘进行离子注入；步骤四、刻蚀去掉磁性隧道结多层膜的离子注入区域；步骤五、重复上述步骤三和步骤四，直到完成磁性隧道结多层膜和底电极层的刻蚀。本发明的有益效果：由于在刻蚀过程中，刻蚀副产物容易形成挥发气体从排气装置排除，将会有效地消除刻蚀副产物的再次沉积，有利于磁性随机存储器磁性、电学性能的改善和良率的提升，有利于磁性随机存储器的小型化。