发明公开
CN108343697A 一种变阻尼器磁路结构
无效 - 撤回
- 专利标题: 一种变阻尼器磁路结构
- 专利标题(英): Variable damper magnetic circuit structure
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申请号: CN201810239194.9申请日: 2018-03-22
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公开(公告)号: CN108343697A公开(公告)日: 2018-07-31
- 发明人: 高坤
- 申请人: 徐州通用高新磁电有限公司
- 申请人地址: 江苏省徐州市贾汪区青山泉镇青山泉工业园
- 专利权人: 徐州通用高新磁电有限公司
- 当前专利权人: 徐州通用高新磁电有限公司
- 当前专利权人地址: 江苏省徐州市贾汪区青山泉镇青山泉工业园
- 代理机构: 北京盛凡智荣知识产权代理有限公司
- 代理商 梁永昌
- 主分类号: F16F9/32
- IPC分类号: F16F9/32 ; F16F9/53
摘要:
本发明公开了一种变阻尼器磁路结构,包括活塞缸,所述活塞缸内设有活塞杆,所述活塞杆外套设有活塞,所述活塞与所述活塞缸内壁紧密接触,所述活塞中部设有横向隔断,所述横向隔断的上下两侧分别设有一个凹陷部,将所述活塞分为上部和下部,所述上部缠绕有第一线圈,所述下部缠绕有第二线圈,所述第一线圈与第二线圈连接有反向电流,所述活塞缸内填充有磁流变液。本发明在活塞上缠绕多个励磁线圈,可以增大磁通量的大小,活塞的有效长度也会增大,磁路会变的更加均匀;两级线圈同向电流与反向电流时,磁场利用率最高,阻尼力会有显著提升。