发明公开
- 专利标题: 半导体装置用接合线
- 专利标题(英): BONDING WIRE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE
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申请号: CN201680073281.0申请日: 2016-06-24
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公开(公告)号: CN108369914A公开(公告)日: 2018-08-03
- 发明人: 小山田哲哉 , 宇野智裕 , 小田大造 , 山田隆
- 申请人: 新日铁住金高新材料株式会社 , 日铁住金新材料股份有限公司
- 申请人地址: 日本东京都
- 专利权人: 新日铁住金高新材料株式会社,日铁住金新材料股份有限公司
- 当前专利权人: 日铁化学材料株式会社,日铁新材料股份有限公司
- 当前专利权人地址: 日本东京都
- 代理机构: 北京天达共和知识产权代理事务所
- 代理商 薛仑; 张平
- 优先权: 2015-244358 2015.12.15 JP
- 国际申请: PCT/JP2016/068764 2016.06.24
- 国际公布: WO2017/104153 JA 2017.06.22
- 进入国家日期: 2018-06-14
- 主分类号: H01L21/60
- IPC分类号: H01L21/60 ; C22C9/00 ; C22C9/04 ; C22C9/06
摘要:
一种半导体装置用接合线,其适于确保较高的接合可靠性、并且具有优异的耐劈刀磨损性和表面缺陷耐受性,还满足球形成性、楔接合性等综合性能的车载用器件用接合线,具有Cu合金芯材、被形成在上述Cu合金芯材的表面的Pd被覆层、以及被形成在上述Pd被覆层的表面的Cu表面层,该半导体装置用接合线的特征在于,含有Ni,Ni相对于线整体的浓度为0.1~1.2wt.%,上述Pd被覆层的厚度为0.015~0.150μm,上述Cu表面层的厚度为0.0005~0.0070μm。
公开/授权文献
- CN108369914B 半导体装置用接合线 公开/授权日:2020-02-18
IPC分类: