- 专利标题: 一种用于压接式IGBT模块的弹性多孔结构电极
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申请号: CN201810013391.9申请日: 2018-01-07
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公开(公告)号: CN108376702B公开(公告)日: 2022-06-21
- 发明人: 谈震 , 李现兵 , 武伟 , 贺定勇 , 曾勇 , 张晓雅 , 王曾洁 , 王国红 , 周正 , 吴旭
- 申请人: 北京工业大学 , 全球能源互联网研究院有限公司
- 申请人地址: 北京市朝阳区平乐园100号;
- 专利权人: 北京工业大学,全球能源互联网研究院有限公司
- 当前专利权人: 北京工业大学,全球能源互联网研究院有限公司
- 当前专利权人地址: 北京市朝阳区平乐园100号;
- 代理机构: 北京盛询知识产权代理有限公司
- 代理商 刘静
- 主分类号: H01L29/417
- IPC分类号: H01L29/417 ; H01L29/739
摘要:
一种用于压接式IGBT模块的弹性多孔结构电极,涉及先进输电技术用IGBT模块领域。将原来刚性凸台式发射极电极端部植入弹性多孔结构,制作成弹性多孔结构电极。在压接装配过程中,保证芯片不受损的情况下通过该结构的弹塑性变形有效的弥补由厚度差异带来的压力分布不均衡。本发明专利是利用3D打印技术中的选区激光熔化技术一体成型制备出弹性多孔结构电极,简化了生产工艺。同时通过合理选择端部多孔结构及材料,满足压接式IGBT中芯片高均流特性和高载流能力的要求。
公开/授权文献
- CN108376702A 一种用于压接式IGBT模块的弹性多孔结构电极 公开/授权日:2018-08-07
IPC分类: