- 专利标题: 测量低能量范围金属材料二次电子发射系数的装置及方法
- 专利标题(英): Apparatus and method for measuring secondary electron yield of metal material within low energy range
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申请号: CN201711374694.5申请日: 2017-12-19
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公开(公告)号: CN108387597A公开(公告)日: 2018-08-10
- 发明人: 王新波 , 苗光辉 , 张恒 , 崔万照 , 谢桂柏 , 杨晶 , 李韵 , 王瑞 , 张娜 , 孙勤奋
- 申请人: 西安空间无线电技术研究所
- 申请人地址: 陕西省西安市西街150号
- 专利权人: 西安空间无线电技术研究所
- 当前专利权人: 西安空间无线电技术研究所
- 当前专利权人地址: 陕西省西安市西街150号
- 代理机构: 中国航天科技专利中心
- 代理商 庞静
- 主分类号: G01N23/22
- IPC分类号: G01N23/22
摘要:
一种测量低能量范围金属材料二次电子发射系数的装置及方法,其中装置包括收集极、两只电流表和电子枪;收集极为两层且开口朝下的结构,结构顶部开有预留孔;样品的上表面置于收集极内部且位于预留孔的正下方,电子枪通过预留孔将入射电子打到样品上;一只电流表记为电流表A连接在样品与地之间;另一只电流表记为电流表B连接在收集极内表面与地之间,收集极的外表面接地。
公开/授权文献
- CN108387597B 测量低能量范围金属材料二次电子发射系数的装置及方法 公开/授权日:2021-02-05