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公开(公告)号：CN113517032B
公开(公告)日：2024-08-13
申请号：CN202110564970.4
申请日：2021-05-24
申请人： 西安空间无线电技术研究所
摘要： 本发明涉及一种基于第一性原理的二次电子产额的计算方法，通过第一性原理的计算获取材料的能量损失函数和表面功函数，然后使用蒙特卡罗的模拟方法根据所述能量损失函数和表面功函数对材料内每个电子的每次散射碰撞过程进行跟踪，通过统计所有出射电子便可以获得材料的二次电子产额。本发明对二次电子的计算不过不再需要对实验数据的依赖，而材料相关的参数如果通过实验获得成本高昂，本发明打破了这种对瓶颈，同时并不采用实验测量二次电子发射系数的反推式拟合方法，具有很好的通用型和推广价值。
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公开(公告)号：CN116825598A
公开(公告)日：2023-09-29
申请号：CN202310628627.0
申请日：2023-05-30
申请人： 西安空间无线电技术研究所
IPC分类号： H01J37/32 , C01B32/194
摘要： 一种基于石墨烯转移的电子轰击诱发释气抑制方法，首先，对一致性较好、缺陷少的铜基石墨烯样品采用PMMA(聚甲基丙稀酸甲酯)旋涂的方式制备石墨烯柔性聚合物载体，通过对石墨烯附着在载体上的质量进行表征，优化PMMA旋涂工艺；然后采用氯化铁溶液对铜基进行刻蚀以获得只含有石墨烯的柔性载体；在经过转移目标微波材料的表面活化后，通过旋转并加热的辅助方式对石墨烯进行转移，以获得质量较好的石墨烯修饰微波材料表面；最后，通过XRD和拉曼光谱测量表征转移石墨烯质量后，在电子轰击诱发释气的测试设备中获得表面修饰对释气的改善情况。
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公开(公告)号：CN115639237A
公开(公告)日：2023-01-24
申请号：CN202211177005.2
申请日：2022-09-26
申请人： 西安空间无线电技术研究所
IPC分类号： G01N23/2273 , G01N1/32 , G01B21/18
摘要： 一种原位监测辐照放电表面成键态断层剖面的方法，在设定的真空度环境下，包括：将样品底部连接示波器，判定不同能量电子辐照下样品表面是否发生放电，确定电子辐照门限值；采用原位Ar+离子刻蚀的方法对样品表面的断层剖面进行刻蚀，并标定刻蚀速率；选择辐照条件超过电子辐照门限值，对样品进行辐照；然后对样品表面进行逐步刻蚀，采用XPS获得不同刻蚀深度剖面的表面结合能谱。本发明所提出的原位成键态剖面的测试方法，极大的突破了电子辐照放电后原位表征的限制，能获得前所未有的测试结果。
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公开(公告)号：CN113517032A
公开(公告)日：2021-10-19
申请号：CN202110564970.4
申请日：2021-05-24
申请人： 西安空间无线电技术研究所
摘要： 本发明涉及一种基于第一性原理的二次电子产额的计算方法，通过第一性原理的计算获取材料的能量损失函数和表面功函数，然后使用蒙特卡罗的模拟方法根据所述能量损失函数和表面功函数对材料内每个电子的每次散射碰撞过程进行跟踪，通过统计所有出射电子便可以获得材料的二次电子产额。本发明对二次电子的计算不过不再需要对实验数据的依赖，而材料相关的参数如果通过实验获得成本高昂，本发明打破了这种对瓶颈，同时并不采用实验测量二次电子发射系数的反推式拟合方法，具有很好的通用型和推广价值。
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公开(公告)号：CN107154826B
公开(公告)日：2020-11-10
申请号：CN201710292990.4
申请日：2017-04-28
申请人： 西安空间无线电技术研究所
IPC分类号： H04B17/29
摘要： 一种确定大功率微波部件高阶无源互调电平的方法，(1)预先给定载波频率分别为f1和f2，互调频率为fp(|m|+|n|)＝m*f1+n*f2且为正值，其中，m，n均为非零整数且符号相反并且二者的绝对值差值为1；(2)预先给定N个功率的3阶无源互调电平测量值Pmea3(i),i＝1…N，其中无源互调测量时输入的两路载波信号总功率为Ps(i)，两路载波功率相等，Pc(i)为第i个测试用单路载波功率；(3)获得最小时对应的无源互调输入对数和输出对数之间非线性关系的系数，其中PIM3(i)为载波频率为f1和f2，载波功率相等且均为Pc(i)时在频率fp3处的互调电平；(4)根据(3)获得的系数，确定|m|+|n|阶的无源互调电平PIM(|m|+|n|)(i)，PIM(|m|+|n|)(i)为载波频率为f1和f2，载波功率相等且均为Pc(i)时在频率fp(|m|+|n|)处的互调电平。
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公开(公告)号：CN107831373B
公开(公告)日：2019-10-22
申请号：CN201710865464.2
申请日：2017-09-22
申请人： 西安空间无线电技术研究所
摘要： 一种大口径网状天线无源互调功率密度的半物理确定方法和系统，实现幅度相等双载波入射大口径网状天线无源互调分析评价。首先将大口径网状天线在载波中心频率处进行频域电磁场仿真，获得网状天线的表面功率密度分布，结合大口径网状天线与馈源的相对位置，载波入射方向与网状反射面法向的夹角区间。其次依据仿真结果进行金属网样本无源互调实验测量矩阵构建，利用金属网样本无源互调测量系统，实现测量矩阵对应金属网样本无源互调的测量。根据测量结果拟合出金属网无源互调与网状天线表面功率密度之间的函数关系。将大口径网状天线按功率密度划分为不同的区域，带入拟合函数，即可获得馈源端口处网状天线无源互调的功率密度。从而实现大口径网状天线无源互调功率密度的确定。
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公开(公告)号：CN107104332B
公开(公告)日：2019-07-12
申请号：CN201710179476.X
申请日：2017-03-23
申请人： 西安空间无线电技术研究所
摘要： 本发明公开了一种无源互调抑制同轴连接器，该电连接器阴头内导体的内侧或者阳头内导体外侧上均匀平整镀覆内导体介质层，使得阳头内导体与阴头内导体之间不存在金属接触；阴头外导体和/或阳头外导体端部从内至外镀覆有外导体介质层，使阴头外导体与阳头外导体之间不存在金属接触。所述内导体介质层和外导体介质层材料为硅、硅类化合物、聚碳酸酯类材料或者聚合物材料。该连接器可以实现无源互调抑制，具有稳定性高、无源互调抑制效果显著等特点，满足航天器及地面通信系统的低无源互调要求，具有广泛的工程应用前景。
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公开(公告)号：CN108767413A
公开(公告)日：2018-11-06
申请号：CN201810352845.5
申请日：2018-04-19
申请人： 西安空间无线电技术研究所
CPC分类号： H01P11/00 , G06F17/5009 , H01P1/38
摘要： 基于激光烧蚀表面处理的大功率介质微波部件微放电抑制方法，(1)确定待处理腔体微波部件的三维物理结构、输入功率P0，工作频率f0，工作波长λ0，输入载波信号x(t)以及微波部件材料特性；(2)根据介质微波部件三维物理结构和材料特性，建立三维几何模型，确定三维几何模型中任意位置处的电磁场量与电性能参数；根据电磁场幅度确定介质微波部件表面待处理区域；(3)采用激光烧蚀表面处理工艺在所述表面待处理区域材料表面构建微孔隙阵列，所述微孔隙为入口孔为封闭形状且具有一定深度的孔，微孔隙入口孔任意两点间距点最大距离为W，深度为H，且W≤H。
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公开(公告)号：CN106044757B
公开(公告)日：2018-03-09
申请号：CN201610378294.0
申请日：2016-05-31
申请人： 西安空间无线电技术研究所
IPC分类号： C01B32/194
摘要： 一种刻蚀石墨烯纳米孔减小二次电子发射系数的方法，本发明采用结合两种不同方法，涂覆低二次电子发射系数的材料和表面制备陷阱结构：在表面涂覆低二次电子发射系数的石墨烯，然后通过氩离子刻蚀的技术制备纳米孔。技术上通过控制表面涂覆石墨烯的厚度和纳米孔的孔隙率、深宽比实现不同的二次电子发射抑制效果。实验研究发现，金属基片上沉积几纳米至十几纳米不等厚度的石墨烯，二次电子发射系数可以从2.0左右将至1.5‑1.1，在氩离子刻蚀石墨烯纳米孔后，表面的二次电子发射系数降至0.9，实现了电子发射系数从1.5至0.9的可控调节。该技术简单方便，稳定性高，表面无损的状态下涂覆纳米级厚度的导电镀层对器件表面插入损耗影响较小。此技术方案能有效地减小二次电子发射系数，在粒子加速器、真空传输线以及大功率微波部件领域有着广泛的应用前景。
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