本发明提供一种屏蔽栅沟槽场效应晶体管的制造方法，在制造屏蔽栅沟槽场效应晶体管的隔离氧化层时采用高密度等离子体（HDP），并在淀积该层之前进行湿法刻蚀处理，利用高密度等离子体（HDP）层的淀积特点，使其填充具备特有形貌：沟槽内中间平坦，沟槽两侧呈尖峰，而后抛弃传统的刻蚀前的平坦化处理，例如化学机械抛光（CMP）进行截止，而是直接湿法刻蚀处理，同时得到顶部隔离层的去除和沟槽内隔离氧化层的目标深度，达到与常规工艺基本相同的工艺目标效果，大大降低了工艺成本及工艺时间，在半导体器件设计及制造领域具有广泛的应用前景。