- 专利标题： 一种快速有选择性的降低SiC晶体中微管和位错密度的方法
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申请号： CN201810592023.4申请日： 2018-06-11
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公开(公告)号： CN108411368B公开(公告)日： 2020-12-08
- 发明人: 彭燕 , 陈秀芳 , 杨祥龙 , 徐现刚 , 胡小波 , 张用 , 张磊
- 申请人： 山东大学 , 国网山东省电力公司电力科学研究院 , 国家电网有限公司
- 申请人地址： 山东省济南市历城区山大南路27号; ;
- 专利权人： 山东大学,国网山东省电力公司电力科学研究院,国家电网有限公司
- 当前专利权人： 山东大学,国网山东省电力公司电力科学研究院,国家电网有限公司
- 当前专利权人地址： 山东省济南市历城区山大南路27号; ;
- 代理机构： 济南金迪知识产权代理有限公司
- 代理商 张宏松
- 主分类号： C30B29/36
- IPC分类号： C30B29/36 ; C30B23/00
摘要：
本发明涉及一种快速有选择性的降低SiC晶体中微管和位错密度的方法，本发明利用微管密度
公开/授权文献
- CN108411368A 一种快速有选择性的降低SiC晶体中微管和位错密度的方法 公开/授权日：2018-08-17
IPC分类:
