双馈风机虚拟惯量调频的动态转速保护方法及系统

    公开(公告)号:CN110890765A

    公开(公告)日:2020-03-17

    申请号:CN201911135568.3

    申请日:2019-11-19

    IPC分类号: H02J3/38 H02J3/24

    摘要: 本发明公开了一种双馈风机虚拟惯量调频的动态转速保护方法及系统,包括:根据风机的转速得到MPPT曲线功率参考值;对实际频率与额定频率之间的偏差进行虚拟惯量控制得到在MPPT曲线功率参考值的基础上附加的额外有功参考信号;上一时刻实际输出的风机电磁功率、风机的转速以及Δf与虚拟惯量控制微分系数的乘积经过动态转速保护后得到输出功率;根据功率参考值、额外有功参考信号以及输出功率,得到当前时刻风机输出的电磁功率。本发明能根据调频过程中转子转速的变化使风机的输出功率缓慢地降落到最大功率跟踪曲线上,避免了风机转速的过度降低,调频结束后风机将自动地恢复到原来的最大功率点,从而保证了调频过程中风机自身的稳定性和经济性。

    一种制备碳化硅图形衬底的方法

    公开(公告)号:CN110858534A

    公开(公告)日:2020-03-03

    申请号:CN201810964679.4

    申请日:2018-08-23

    IPC分类号: H01L21/02 H01L29/06

    摘要: 本发明提供了一种制备碳化硅图形衬底的方法,包括以下步骤:(1)对切割后的单晶棒进行研磨以去掉晶片的刀痕;(2)对研磨后的晶片进行机械抛光以去除研磨造成的损伤层;(3)对机械抛光后的晶片进行退火以去除近表面原子的损伤,退火温度为1000℃-1800℃,保温时间为20小时-50小时;(4)清洗抛光后的晶片以去除表面上的残留粒子和沾污物。本发明只需进行简单的机械抛光并辅助高温退火即可得到合乎要求的衬底,无需进行后序的超精密化学机械抛光,减小了衬底的加工成本,提高了加工效率。该方法简单易行,制得的单晶衬底表面图形的条纹为不规则任意取向的划痕,其GaN LED的光提取效率大大提高。

    一种低电阻率低位错密度的n型SiC单晶的生长方法

    公开(公告)号:CN110857476A

    公开(公告)日:2020-03-03

    申请号:CN201810964680.7

    申请日:2018-08-23

    IPC分类号: C30B23/00 C30B29/36

    摘要: 本发明涉及一种低电阻率低位错密度的n型SiC单晶的生长方法,属于晶体生长技术领域,包括步骤如下:(1)在坩埚中放置SiC粉料及辅助掺杂剂,并将坩埚置于生长室内;(2)对生长室内进行抽真空处理,通入氩气作为载气,开启中频电源,加热坩埚至一定温度,在生长室内建立合适的温度梯度;(3)生长室内通入一定流量的N2(或N2、Ar混合气),SiC粉料及掺杂剂发生升华,气体组分传输至SiC籽晶,进行晶体生长;(4)晶体生长结束后,降至室温,得到n型SiC单晶。(5)进行切磨抛处理,得到n型SiC单晶衬底。并对获得n型SiC衬底进行测试表征,本发明中采用的生长方法与目前商业化的生长设备兼容,利于推广。

    一种低电阻率低位错密度的n型SiC单晶的生长方法

    公开(公告)号:CN110857476B

    公开(公告)日:2022-01-18

    申请号:CN201810964680.7

    申请日:2018-08-23

    IPC分类号: C30B23/00 C30B29/36

    摘要: 本发明涉及一种低电阻率低位错密度的n型SiC单晶的生长方法,属于晶体生长技术领域,包括步骤如下:(1)在坩埚中放置SiC粉料及辅助掺杂剂,并将坩埚置于生长室内;(2)对生长室内进行抽真空处理,通入氩气作为载气,开启中频电源,加热坩埚至一定温度,在生长室内建立合适的温度梯度;(3)生长室内通入一定流量的N2(或N2、Ar混合气),SiC粉料及掺杂剂发生升华,气体组分传输至SiC籽晶,进行晶体生长;(4)晶体生长结束后,降至室温,得到n型SiC单晶。(5)进行切磨抛处理,得到n型SiC单晶衬底。并对获得n型SiC衬底进行测试表征,本发明中采用的生长方法与目前商业化的生长设备兼容,利于推广。