发明授权
- 专利标题： 优化的杀念菌素生产方法及培养基
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申请号： CN201710618433.7申请日： 2017-07-26
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公开(公告)号： CN108424944B公开(公告)日： 2021-07-27
- 发明人: 储炬 , 刘晓云 , 孙晓娟 , 庄英萍
- 申请人： 华东理工大学
- 申请人地址： 上海市徐汇区梅陇路130号
- 专利权人： 华东理工大学
- 当前专利权人： 华东理工大学
- 当前专利权人地址： 上海市徐汇区梅陇路130号
- 代理机构： 上海专利商标事务所有限公司
- 代理商 陈静
- 主分类号： C12P19/62
- IPC分类号： C12P19/62 ; C12P19/26 ; C12N1/20 ; C12R1/465
摘要：
本发明涉及优化的杀念菌素生产方法及培养基。揭示了一种新的适合于培养链霉菌，使之高效生产杀念菌素的培养基配方。本发明的培养基，适合于链霉菌的生长，且可大大地提高杀念菌素的产量。
公开/授权文献
- CN108424944A 优化的杀念菌素生产方法及培养基 公开/授权日：2018-08-21
