发明授权
- 专利标题: 一种金属钨表面纳米化的装置及其方法
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申请号: CN201810284931.7申请日: 2018-04-02
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公开(公告)号: CN108456854B公开(公告)日: 2020-04-07
- 发明人: 胡殷 , 龙重 , 朱康伟 , 陈林 , 刘天伟 , 邢颖 , 高博 , 徐海燕 , 王文渊 , 孟宪东
- 申请人: 中国工程物理研究院材料研究所
- 申请人地址: 四川省绵阳市江油市华丰新村9号
- 专利权人: 中国工程物理研究院材料研究所
- 当前专利权人: 中国工程物理研究院材料研究所
- 当前专利权人地址: 四川省绵阳市江油市华丰新村9号
- 代理机构: 成都君合集专利代理事务所
- 代理商 张鸣洁
- 主分类号: C23C14/22
- IPC分类号: C23C14/22 ; C23C14/02 ; C23C14/16 ; B82Y30/00
摘要:
本发明公开了一种金属钨表面纳米化的装置及其方法,是采用设置有小孔的钨筒作为空心阴极装置,形成空心阴极效应,离化氦气,并获得低电压、大电流的氦等离子体,并使氦离子轰击作用于钨样品表面,通过空心阴极效应在5min钟内迅速升高样品温度到1600K以上。在注入一定剂量的氦离子后,可在钨表面获得与基体紧密连接的纳米结构。本发明提供了一种金属钨表面纳米化的装置及其方法装置简便、成本低廉,工艺简单、生产效率高,可以在金属钨表面形成均匀一致、与基体紧密连接的纳米结构生长层,提供了一种解决钨表面纳米化的全新途径,可进一步处理获得用于制备分解水的光催化材料。
公开/授权文献
- CN108456854A 一种金属钨表面纳米化的装置及其方法 公开/授权日:2018-08-28
IPC分类: