发明授权
- 专利标题： 垂直存储器中的浮动栅极存储器单元
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申请号： CN201810309077.5申请日： 2014-03-05
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公开(公告)号： CN108461500B公开(公告)日： 2022-04-29
- 发明人: 查尔斯·H·丹尼森 , 合田晃 , 约翰·霍普金斯 , 法蒂玛·雅逊·席赛克-艾吉 , 克里希纳·K·帕拉
- 申请人： 美光科技公司
- 申请人地址： 美国爱达荷州
- 专利权人： 美光科技公司
- 当前专利权人： 美光科技公司
- 当前专利权人地址： 美国爱达荷州
- 代理机构： 北京律盟知识产权代理有限责任公司
- 代理商 王龙
- 优先权： 13/838,297 20130315 US
- 主分类号： H01L27/11556
- IPC分类号： H01L27/11556 ; H01L27/11578
摘要：
本发明涉及垂直存储器中的浮动栅极存储器单元。控制栅极形成于第一电介质材料叠层与第二电介质材料叠层之间。浮动栅极形成于所述第一电介质材料叠层与所述第二电介质材料叠层之间，其中所述浮动栅极包含朝向所述控制栅极延伸的突出部。电荷阻挡结构形成于所述浮动栅极与所述控制栅极之间，其中所述电荷阻挡结构的至少一部分包覆所述突出部。
公开/授权文献
- CN108461500A 垂直存储器中的浮动栅极存储器单元 公开/授权日：2018-08-28
IPC分类:
