Invention Grant
- Patent Title: 压力传感器
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Application No.: CN201680078792.1Application Date: 2016-12-16
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Publication No.: CN108463704BPublication Date: 2020-02-07
- Inventor: 濑户祐希 , 小笠原里奈
- Applicant: 阿自倍尔株式会社
- Applicant Address: 日本东京都千代田区丸之内2丁目7番3号
- Assignee: 阿自倍尔株式会社
- Current Assignee: 阿自倍尔株式会社
- Current Assignee Address: 日本东京都千代田区丸之内2丁目7番3号
- Agency: 上海华诚知识产权代理有限公司
- Agent 肖华
- Priority: 2016-005029 2016.01.14 JP
- International Application: PCT/JP2016/087556 2016.12.16
- International Announcement: WO2017/122496 JA 2017.07.20
- Date entered country: 2018-07-12
- Main IPC: G01B7/16
- IPC: G01B7/16 ; G01L9/00

Abstract:
本发明所涉及的压力传感器(100)的特征在于,具有:隔膜(3);形成有构成应变计的多个电阻(R1~R4)的、俯视时正方形的半导体芯片(1);在一端与隔膜的第2主面(3B)的区域接合,该区域是指当对隔膜的第1主面(1A)施加压力时发生变形的区域,在另一端分别与半导体芯片的四角连接,并垂直设置于第2主面的四个第1结构体(2a~2d);以及在一端在俯视时与第2主面中的隔膜的中心(30)接合,在另一端在俯视时与半导体芯片的中心(10)接合,并且垂直设置于第2主面的第2结构体(2e)。
Public/Granted literature
- CN108463704A 压力传感器 Public/Granted day:2018-08-28
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