- 专利标题: 二维钙钛矿形成用材料、层叠体、元件及晶体管
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申请号: CN201680079184.2申请日: 2016-11-16
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公开(公告)号: CN108475643A公开(公告)日: 2018-08-31
- 发明人: 松岛敏则 , 秦川江 , 安达千波矢
- 申请人: 国立大学法人九州大学
- 申请人地址: 日本福冈
- 专利权人: 国立大学法人九州大学
- 当前专利权人: 国立大学法人九州大学
- 当前专利权人地址: 日本福冈
- 代理机构: 北京律盟知识产权代理有限责任公司
- 代理商 张世俊
- 优先权: 2015-224923 2015.11.17 JP
- 国际申请: PCT/JP2016/083932 2016.11.16
- 国际公布: WO2017/086337 JA 2017.05.26
- 进入国家日期: 2018-07-17
- 主分类号: H01L21/368
- IPC分类号: H01L21/368 ; H01L29/786
摘要:
本发明的具有排列有卤化铵基的表面的二维钙钛矿形成用材料显示高载流子迁移率。该二维钙钛矿形成用材料包含在分子结构的末端具有卤化铵基的单分子膜,优选在表面排列有该单分子膜的卤化铵基。
公开/授权文献
- CN108475643B 二维钙钛矿形成用材料、层叠体、元件及晶体管 公开/授权日:2022-09-20
IPC分类: