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公开(公告)号：CN109792134B
公开(公告)日：2022-08-16
申请号：CN201880003730.3
申请日：2018-02-07
申请人： 国立大学法人九州大学 , 株式会社考拉科技
IPC分类号： H01S5/36
摘要： 本发明公开了一种电流注入式有机半导体激光二极管，其包括一对电极、光学谐振器结构及一个以上的包含由有机半导体组成的光放大层的有机层，所述电流注入式有机半导体激光二极管在电流注入期间，激子密度的分布与谐振光模式的电场强度分布之间存在足够的重叠以发射激光。
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公开(公告)号：CN114450814A
公开(公告)日：2022-05-06
申请号：CN202080067864.9
申请日：2020-09-25
申请人： 国立大学法人九州大学 , 株式会社考拉科技
发明人： S·D·A·桑达纳亚卡 , K·P·W·B·S·B·卡鲁纳提拉卡 , U·巴里加帕里 , A·M·C·塞内维拉斯 , 松岛敏则 , 安达千波矢
IPC分类号： H01L51/50 , H01S5/36 , C09K11/06 , C07F9/6568
摘要： 本发明提供一种在发光层中包含由下述通式表示的化合物的激光元件。R1及R5表示哈米特的σp值为正的取代基，R2～R4、R6～R15表示氢原子或取代基。
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公开(公告)号：CN115102034A
公开(公告)日：2022-09-23
申请号：CN202210882367.5
申请日：2018-02-07
申请人： 国立大学法人九州大学 , 株式会社考拉科技
摘要： 本发明公开了一种电流注入式有机半导体激光二极管，其包括一对电极、光学谐振器结构及一个以上的包含由有机半导体组成的光放大层的有机层，所述光学谐振器结构具有凹槽被完全去除的光栅，或者具有在凹槽中露出电极的光栅。
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公开(公告)号：CN108475643B
公开(公告)日：2022-09-20
申请号：CN201680079184.2
申请日：2016-11-16
申请人： 国立大学法人九州大学
IPC分类号： H01L21/368 , H01L29/786
摘要： 本发明的具有排列有卤化铵基的表面的二维钙钛矿形成用材料显示高载流子迁移率。该二维钙钛矿形成用材料包含在分子结构的末端具有卤化铵基的单分子膜，优选在表面排列有该单分子膜的卤化铵基。
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公开(公告)号：CN113615016A
公开(公告)日：2021-11-05
申请号：CN202080020775.9
申请日：2020-03-11
申请人： 国立大学法人九州大学 , 株式会社考拉科技
摘要： 本发明公开了一种电驱动有机半导体激光二极管，其包括一对电极、具有分布反馈(DFB)结构的光学谐振器结构及包含由有机半导体构成的光放大层的一个或多个有机层，其中，所述分布反馈结构由1阶布拉格散射区域、二维分布反馈或循环分布反馈构成。
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公开(公告)号：CN111066167A
公开(公告)日：2020-04-24
申请号：CN201880054372.9
申请日：2018-07-24
申请人： 国立大学法人九州大学
IPC分类号： H01L51/50
摘要： 本发明能够提供一种通过使用钙钛矿型化合物而载流子迁移率高且廉价的主体材料。并且，只要使用钙钛矿型化合物的主体材料，则能够实现廉价且发光效率高的有机发光元件。
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公开(公告)号：CN109792134A
公开(公告)日：2019-05-21
申请号：CN201880003730.3
申请日：2018-02-07
申请人： 国立大学法人九州大学
IPC分类号： H01S5/36
摘要： 本发明公开了一种电流注入式有机半导体激光二极管，其包括一对电极、光学谐振器结构及一个以上的包含由有机半导体组成的光放大层的有机层，所述电流注入式有机半导体激光二极管在电流注入期间，激子密度的分布与谐振光模式的电场强度分布之间存在足够的重叠以发射激光。
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公开(公告)号：CN108475643A
公开(公告)日：2018-08-31
申请号：CN201680079184.2
申请日：2016-11-16
申请人： 国立大学法人九州大学
IPC分类号： H01L21/368 , H01L29/786
摘要： 本发明的具有排列有卤化铵基的表面的二维钙钛矿形成用材料显示高载流子迁移率。该二维钙钛矿形成用材料包含在分子结构的末端具有卤化铵基的单分子膜，优选在表面排列有该单分子膜的卤化铵基。
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