- 专利标题: 一种贴片式铝电解电容器低压电极箔的腐蚀方法
- 专利标题(英): Corrosion method for low-voltage electrode foil of V-CHIP aluminum electrolytic capacitor
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申请号: CN201810226416.3申请日: 2018-03-19
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公开(公告)号: CN108486645A公开(公告)日: 2018-09-04
- 发明人: 严季新 , 陈健 , 王建中 , 周小兵 , 于永 , 王亚飞 , 张智源 , 赵宇飞 , 吴骏 , 钱琳灵
- 申请人: 南通海星电子股份有限公司 , 南通海一电子有限公司 , 四川中雅科技有限公司
- 申请人地址: 江苏省南通市通州区平潮镇通扬南路518号
- 专利权人: 南通海星电子股份有限公司,南通海一电子有限公司,四川中雅科技有限公司
- 当前专利权人: 南通海星电子股份有限公司,南通海一电子有限公司,四川中雅科技有限公司
- 当前专利权人地址: 江苏省南通市通州区平潮镇通扬南路518号
- 代理机构: 南京正联知识产权代理有限公司
- 代理商 吴惠松
- 主分类号: C25F3/04
- IPC分类号: C25F3/04 ; C23F1/20 ; C23F11/173 ; H01G9/055 ; H01G9/045
摘要:
本发明公开了一种贴片式铝电解电容器低压电极箔的腐蚀方法,包括以下步骤:采用盐酸、硫酸、AlCl3混合溶液浸泡作为前处理;盐酸、硫酸、AlCl3溶液加电发孔腐蚀;盐酸、硫酸-AlCl3溶液进行中处理,纯水清洗;重复发孔腐蚀、中处理及清洗步骤;在盐酸、硫酸、AlCl3、磷酸及聚苯乙烯磺酸或聚苯乙烯磺酸钠的腐蚀液中进行扩孔加电腐蚀,盐酸、硫酸、AlCl3及磷酸溶液浸泡,纯水清洗,重复扩孔腐蚀、浸泡及清洗步骤;最后采用硝酸溶液浸泡,纯水清洗后退火处理。本发明产出腐蚀铝箔具有腐蚀深度低、机械性能优良、化成后接触电阻低的特性,在贴片式(V-CHIP)电容器的制造过程中,有效适配最低2.2mm的宽度裁切使用。
公开/授权文献
- CN108486645B 一种贴片式铝电解电容器低压电极箔的腐蚀方法 公开/授权日:2020-09-22