- 专利标题: 一种Sm、Al共掺杂取代Nd1.9Sr0.1NiO4巨介电陶瓷及其制备方法
- 专利标题(英): Sm and Al co-doped substituted Nd1.9Sr0.1NiO4 gigantic dielectric ceramic and preparation method thereof
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申请号: CN201710128538.4申请日: 2017-03-06
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公开(公告)号: CN108530067A公开(公告)日: 2018-09-14
- 发明人: 郭旺 , 黄集权 , 江亚彬 , 李国京 , 薛锤兵 , 邓种华 , 兰海 , 陈剑 , 刘著光
- 申请人: 中国科学院福建物质结构研究所
- 申请人地址: 福建省福州市杨桥西路155号
- 专利权人: 中国科学院福建物质结构研究所
- 当前专利权人: 中国科学院福建物质结构研究所
- 当前专利权人地址: 福建省福州市杨桥西路155号
- 代理机构: 北京知元同创知识产权代理事务所
- 代理商 刘元霞; 牛艳玲
- 主分类号: C04B35/50
- IPC分类号: C04B35/50 ; C04B35/622
摘要:
本发明公开了一种Sm、Al共掺杂取代Nd1.9Sr0.1NiO4巨介电陶瓷及其制备方法。由Sm取代一部分Nd由Al取代一部分Ni以化学通式Nd1.9-xSmxSr0.1Ni1.0-yAlyO4表示,其中,x=0.05~0.2,y=0.05~0.2。本发明提供的Sm、Al共掺杂取代Nd1.9Sr0.1NiO4巨介电陶瓷材料有效地提高了产品的介电性能,制备方法简单和重复性好,且不需要额外的气氛辅助烧结。
公开/授权文献
- CN108530067B 一种Sm、Al共掺杂取代Nd1.9Sr0.1NiO4巨介电陶瓷及其制备方法 公开/授权日:2020-05-05