- 专利标题： 一种纳米花状聚吡咯氧化锰复合材料的制备方法及应用
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申请号： CN201810323945.5申请日： 2018-04-12
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公开(公告)号： CN108538646A公开(公告)日： 2018-09-14
- 发明人: 白明华 , 刘锐 , 王莹 , 于湛 , 王艳 , 戚克振 , 付雅君
- 申请人： 沈阳师范大学
- 申请人地址： 辽宁省沈阳市黄河北大街253号(道义开发区)
- 专利权人： 沈阳师范大学
- 当前专利权人： 沈阳师范大学
- 当前专利权人地址： 辽宁省沈阳市黄河北大街253号(道义开发区)
- 代理机构： 沈阳维特专利商标事务所
- 代理商 甄玉荃
- 主分类号： H01G11/86
- IPC分类号： H01G11/86 ; H01G11/24 ; H01G11/30 ; H01G11/46 ; H01G11/48
摘要：
本发明属于纳米材料制备技术领域，特别涉及纳米花状聚吡咯-氧化锰复合材料的制备方法。利用氧化锰(MnO2)与导电聚合物电化学共沉积，制备了具有大电位窗范围(-0.3～0.9V vs.SCE)的纳米花状聚吡咯-氧化锰复合材料，该材料可用作超级电容器电极材料，并有效扩大了氧化锰(0～0.9V vs.SCE)和聚吡咯(-0.3～0.5V vs.SCE)的储能电位范围；本发明所采用的电化学共沉积方法制备方便快速、对环境友好，并且具有实验反应条件易于控制，产品无需后处理等特点。
公开/授权文献
- CN108538646B 一种纳米花状聚吡咯氧化锰复合材料的制备方法及应用 公开/授权日：2021-07-02
